PZT厚膜的气雾化湿法减薄制备技术.pdfVIP

第6卷第1期 纳米技术与精密工程 Ⅷ．6 No．1 2008年1月 and Jan．20嘴 NanotedmelogyPm洳hIgi珊盯．噶 PZT厚膜的气雾化湿法减薄制备技术 冯 艳，许晓慧，杨景超，吴亚雷，褚家如 (中国科学技术大学精密机械与精密仪器系，合肥230(p_6) 摘要：锆钛酸铅(Pzr)厚膜的制备技术是制作基于Pzr厚膜的微传感器和微驱动器的关键技术之一．传统的制备 方法难以兼顾厚膜制备中对厚度、性能、工艺复杂度以及成本等方面的要求，因此。提出了一种新的利用气雾化湿 法减薄体材料制备PzI’厚膜的技术．该技术结合传统的咫r湿法化学刻蚀方法和刻蚀雾滴的物理轰击效应，在反 应中实时去除化学反应残留物，在减薄前后样品厚度均匀性几乎不变的情况下，平均刻蚀速率可达3．3脚／mtn，且 工艺过程简单，成本低廉．实验结果表明，用该技术制备的Pzr厚膜可满足微机电系统(删)领域中微传感器和 微致动器时于厚膜具备较高灵敏度和较大驱动能力的性能要求． 关键词：IrgT厚膜；气雾化湿法减薄；平均刻蚀速率 中图分类号：TNl6 文献标志码：A 文章编号：1672砌0(2008)01瑚5蛐5 Wet Processfor SprayEtching Preparing PZTThick．Film FENG Yan，XUXiao-hui，YANGJing-chao，WUYa-lei，CHUJia-ru 0fPriori Precision d (DeemM∞hiIle叮andInsUulneflt蚯on，University Scienceand 0f TechnologyChLna，He蹦230026，China) Abstract：ThefabricationofPZTthick·-filmisoneofthe inthefabricationofPZT-basodmi·· keytechnologies cro-sensor8andmicro-actuators．Thetraditional methodscannotattentiontothick—filmthick- preparation give andcost we anovel ness，performance，processcomplexityIL阿：[uirement8，80prepo蛾l technologynsmg spray wet to PZTtllick—film．The traditionalPZTwet etch- chemical etchingprepare pID删technology，咖lbiIIiIlg withetchant methodofthe removedthe when