推挽对称输出的一种热疏导电路.pdfVIP

电子设计 文章编号：1008--0570(2008)04-2-0266-02 推挽对称输出的一种热疏导电路 AHeat Circuitofthe leading push-pullsymmetry-OUtput LIUQiao ．PANGZeng-jun LONGFeiLIXu-cheng 摘要：功率集成电路的功率密度越来越高，发热问题越来越严重，为现代传热技术在电子冷却领域的应用提出了新的课题。 论文分析了半导体器件的温度特性。提出了一种通过电路自身的特性采测量基片温度，并利用电路结构进行散热的热疏导 电路结构．提高了大功率电路系统的集成度及散热效率。 关键词：功率输出级；副模块；热疏导；仿真分析 中图分类号：TN492 文献标识码：A Abstract：The ofthe ICthemoreserious forwardanew hiisherpower problems，that density power heat—generating brings question ofelectronicheat fordiscussion．Thisarticle the characteristicofthesemiconductorforward cooling analyzestemperature devices，puts the ofakindofheat circuitwhichcanmeasurethe ofthe andleadtheheat it enhances design leading temperaturechip itself，SO the andthe ofthe circuit integration power system． coolingefficiencyhigh Keywords：poweroutput-auxiliarymodule-heatleading，simulationanalysis 着耗散功率的增加而上升。当温度升高到基区的本征载流子 引言 浓度接近其杂质浓度时。PN结的单向导电性被破坏．晶体管失 任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗变成热 去作用。因此，我们定义最高结温k是由基区转变为本征导电 量。大功率器件损耗大，若不采取散热措施，则管芯的温度可达 的温度限定。对于硅管，最高结温在150—200℃，而对于锗管，最 到或超过允许的结温，器件将受到损坏。因此必须加散热装置， 高结温在85—125℃。 最常用的就是将功率器件安装在散热器上，利用散热器将热量 在进行散热计算时，将热传导的难易程度考虑为热阻RT。 散发到周围空间．必要时再加上散热风扇，以一定的风速加强 器件的发热中心主要集巾在芯片的“结”处，当器件芯片面积较 冷却散热。目前，电子元器件向着小型化和集成化飞速发展，功 大、厚度较薄时，可以假定热量只沿垂直于芯片的截面方向，由 率集成电路的功率密度越来越高．发热问题越来越严重，对于 芯片有源区向官壳，通过热扩散过程向外散发热量。内热阻是 各种散热手段要求其具有紧凑性、可靠性、灵活性、高散热效 器件自身同有的热阻，与管芯、外壳材料的导热率、厚度和截面 率、不需要维修等特点，从而为现代传热技术在电子冷却领域 积以及加工工艺等都有关系；外热阻则与管壳封装的形式有 的应用提出了新的课题。 关。设在垂直方向存在温度梯度dT／dx，则用一维热传导方程可 本文提出了一种热疏导电路结构。通过电路自身的特性来 得x方向的热流密度为 测量基片温度，并利用电路结构进行散热。大大提高了电路系