基于含单负材料光量子阱结构的全向多通道滤波器.pdf

第38卷第3期 光子学报 V01．38No．3 2009 2009年3月 ACTAPHOTONICASINICA March 基于含单负材料光量子阱结构的全向多通道滤波器* 陈溢杭，毛晓华 (华南师范大学物理与电信工程学院，广州510006) 摘 要：分析了含单负材料的光量子阱结构中的振荡透射模的性质．用两种单负(负介电常量或负 磁导率)材料交替周期堆叠形成的两个光子晶体构造了一维光量子阱结构，该结构中仅其中一个光 子晶体舍有零有效位相带隙．数值计算结果发现，在零有效位相带隙内存在振荡透射模．通过改变 井区域光子晶体内单负材料层的厚度及周期数，振荡透射模的数目、频率及频率间隔均可调节．振 荡透射模对入射角度的依赖均很弱；随着入射角度的改变，缺陷模频率的相对改变量保持在0．02 以下．该研究结果可用于设计多通道全向滤波器． 关键词：光子晶体；振荡透射模；传输矩阵；单负材料 中图分类号：0436 文献标识码：A 文章编号：1004—4213(2009)03—576—5 0 引言 本文研究了含单负材料的光子晶体构造的一维． 光量子阱结构的透射特性．发现在该结构的零有效 光子晶体是指介质的折射率按一定周期发生变 位相带隙内存在多个振荡透射模，其数目、频率及频 化的人工材料，由于其独特的电磁性质，近年来已引 率间隔均可调节，通过数值计算对振荡透射模的性 起了广泛的关注[1。1]．电磁波或光在这类材料中传播 质进行了分析． 时具有类似电子在半导体材料中运动的行为，这些 1 结构模型 性质使得光子晶体町有效地操控电磁波或光子的传 播，因此，光子晶体已被广泛应用于各种光学器件的 假设负磁导率材料满足色散关系 制作【5．6]．在量子约束效应，电子波函数将发生改变， 这使得在量子阱结构中的电子能量被鼍子化．利用 e1一en’阳2触一研 ‘1) 半导体量子阱结构的原理，人们使用多个一维光子 负介电常量材料满足 D 晶体构造了一维光量子阱结构【7J，发现在光子带隙 ￡2一e6一若》叩22雕 (2) 内将出现多个振荡透射模，该结构可用于多通道滤 式(1)和(2)中的色散特性可通过I，C负荷传 波器的设计．然而，传统的由正折射率材料(介电常 输线制作的特异材料在微波段实现‘17_19]．计算中，选 量和磁导率均为正值)构成的光量子阱结构，其带隙 取肚一e6—1，￡4一胁=3，口一卢=100．由负磁导 的频率范围以及振荡透射模的频率均随入射角度的 率材料和负介电常量材料交替周期堆叠构成的一维 改变而改变，这使它在实际应用中受到限制． 光子晶体结构中存在零有效位相带隙u引．光子晶体 近年来，利用单元结构的局域响应机制构造了 中的负磁导率材料层(N。)和负介电常量材料层 一种新型的材料——特异材料，在特定波段范围内， (N。)