电浆电弧气凝合成法制备氧化钨奈米棒之的研究.pdfVIP

中国颗粒学会2006年年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会 电浆电弧气凝合成法制备氧化钨奈米棒之研究 苏程裕1，扬宗坤1，林中魁2，林文3 (1台北科技大学机电整合研究所；2．逢甲大学材料科学与工程学幕；3．遣币厂) 摘要：本研究以电浆电弧为加热源蒸发钨靶材，并藉由气凝合成机制，外加～套吹气装置制备氧化钨条米棒，分别 探讨腔体压力与奈米棒平均直径及产率的关系，研究结果显示，WsO。。奈米棒的平均直径和产率都随着腔体压力而增 tim，晶 皿此外藉由穿透式电子显微镜的观察可得知氧化钨奈米棒是为单晶结构，其晶格平均间距(d-spacing)为0．38 面则是0以[010]方向来成长，其成长机制则可透过气一固相(Vapor-Solid,VS)模型来作解释． 关键词：电浆电弧气凝合成法；氧化钨；奈米棒；靶材 ， 1前言 WO，转为非化学计量的w03，O介于0～1)，其结构型 态也从多晶的圆形粒子趋向于单晶的椭圆形再进一步 在许多过渡金属氧化物半导体之中，由于氧化钨具 成为单晶棒状结构．基于这种趋势，因此本研究将进一 有一些独特的性质因此非常受到学者的注目和广泛研 步尝试在原本电浆气(Ar)中加入10％氢气来进行还原反 究，例如其光学“】、气体感测啪、电致色变口1性质等．目 应，并探讨腔体压力对制备氧化钨奈米棒结构和产率的 前氧化钨材料也已经被广泛应用在平面显示器、智能型 影响． 窗户、光学调制装置、气体传感器、湿度和温度传感器 M】等．最近一些非化学计量的氧化钨也由于其物理、化 2实验方法 学及电子特性而引起相当大的注目，特别是在超导性和 本实验使用电浆电弧为加热源蒸发钨靶材(Ample 电荷传输的性能上口】． Goal 目前用以成长一维氧化钨材料的制程相当多样，一 由气凝合成机制，外加一套吹气装置制备氧化钨奈米棒． 些形貌独特的生成物也不断被发现，如Zlau等[91利用加 本实验制程主要是将电浆气体流经水冷式电浆枪 热覆盖于Si02的钨片至1600℃，生成由数种氧化钨(包 (rHERMAOY 含有W03，W18049，W30及Ⅵ。组成的树状结构．Hu等【lq usAl内正负两极之问的直流电弧，经过电弧的高温分 透过加热WS：粉末，并于氩气环境下提供少许氧气可以 裂为带电的热离子，与电弧经过喷嘴喷出后与冷蒸发靶 在蚀刻过的钨片表面生长出中空W18049纤维．Gu等【1l】 材接触，再次结合为气体分子而放出大量热，产生高温 藉由在充满氩气的熔炉中将钨线加热至700℃，最后在 而蒸发靶材．吹气系统藉由气体流量计，控制进入腔体 钨线尖端上生长出数种氧化钨(包含有W03，W02， 内Ar吹气的流量，并配合后方的抽气装置，使实验中 w18049|p—w∞05B及W400118)组成之奈米线．“等””使用 能维持腔体压力的动态平衡．本实验电浆电弧系统与其 物理气相沉积制程，在大气压下透过红外线幅射加热钨 制程参数设计可参见先前的研究文献[14,151。本研究中晟 丝至1000℃而合成出单斜晶体之W03奈米棒及六角晶 大不同是在于藉由Ar+t0％H2的电浆气蒸发钨靶材。并 体之奈米带；此外Shl