交流电作用下不同宽度金纳米互连引线的疲劳行为的研究.pdfVIP

交流电作用下不同宽度金纳米互连引线的疲劳行为研究 凌雪 孙丽娟 李喜德 (清华大学航天航空学院，100084) 摘要本丈基于扫描电镜(SEM)下的四探针系统进行了35nm厚．O．1-5Il瞳宽的金纳米互连线在交流 电作用下的力电疲劳实验．在保留传统的扫描电镜下的四探针实验的同时加入了温度探针的使用， 将四探针推广到五探针实验。并且通过理论推导得到在交流电作用下金纳米引线上的温度场分布， 分析得到极薄板细金纳米线的疲劳破坏机制．结果显示较细的纳米引线具有较高的疲劳寿命，同时 纳米线呈现出较多的电致热力行为． 关键词：纳米引线、热疲劳、四探针测量 一、引言 随着芯片集成度越来越高，集成电路的特征尺度和复杂程度也在朝 化和复杂化发展， 由此集成电路中为MEMS器件提供电力支持的纳米互连线在交流电作用下的疲劳破坏行为弓f Read[21，张7“平[31，孙军【4】等分别对不同材料，不同尺度的 起了大家的，“泛重视。M6nig[I】，D．T 纳米互连线在交流电作用卜．的伺服行为进行了研究。 保留传统的扫描电镜F的四探针实验的同时加入了温度探针的使用，将四探针推广到五探针实 验。并且通过理论推导得到在交流电作用下金纳米引线上的温度场分布，分析得到极薄极细金 纳米线的疲劳破坏机制。 二、基于四探针的金纳米互连引线的力电实验 2．1样品描述 本文采片j的样品采用蒸镀法将35nm厚金膜镀到硅基底t．随后采用电子束刻蚀的方法刻 出工字型导线结构。金膜的晶粒尺寸为32．39±11．95椭，进行本次交流电加载的纳米线尺寸为 20岬长，O．1·5岬宽。 2．2实验方法及仪器 本次实验主要采用5EM下的四探针方法进行纳米线的交流电压加载及测量，电路图如图l 所示，交流电加载频率为100Hz。探针均通过机械手控制。同时将一只同温度传感器相连的探 针放到金纳米引线的电极卜用来测鼍随着加载过 程电极上的温度变化，加载电流密度控制在 3．5-35．2MA／cm-2。 2．3纳米线温度场的确定 以宽度为w=5肛、电压峰峰值为％ =272mV并H加载频率为100Hz引线为例进行计 算。将求解温度场的问题简化为一维问题进行求 解。 简化为一维偏微分办程 纵‰·詈=锷+譬一等 图1实验电路图 3l 三、实验结果及讨论 3 1实验结果 本文进行了五组不同宽度的引线在不同电流密度下疲劳破坏虫验，如图3所示。由于0I线 25 同蕊底丰日迮，H一氧化硅(。m 7“l。。。《～)同钮。m=142xl矿K1)的热膨胀系数不同，因此 基于界面处需要变形卧调，引线束缚在基底上将承受应变循环△‘2△r(8m一％q)，由此温度 场可以II引线承受的I避立场来表征．如图3所求。 重‘ 誊 ：{ !L；兰薹等； …～ c…～ …^～ 圈3小月线宽引线疲劳对何厘矗度同电流密度*幕．s—N曲线 3．2瘦劳破坏搿貌 引线经历疲劳实验破坏后．奉文通过SEM(HITACHIS-5S00)观察了金纳米引线的表面形貌， 如图4所示。可以看出引线巾部品粒尺寸要远大于引线靠近电极的端部的晶粒尺寸，同时越靠 近引线巾部，晶柱具有明显的取向． 削4 50 Onm宽引线瘫劳破坏袁Ⅲm拽 四、结论 姐过SEM F的网探引宜验址行r金纳米耳连线在坌jjic电作用F的热．力揣合行为+通』i婵 论排甘得到交流电诱发的纳米线L温度场的变化，结果表叫纳米线上的温度场变化if自频J外 加立流电，井乩l|I于热传甘引线-l，排温度要