二氧化钒薄膜晶体管开关特性研究.pdfVIP

华 华 中中 科科 技技 大大 学学 硕硕 士士 学学 位位 论论 文文 华华 中中 科科 技技 大大 学学 硕硕 士士 学学 位位 论论 文文 摘 要 VO2 是一种热致相变材料，温度或热辐射强度的变化，会引起 VO2 的结构 VO 的相变导致其 相变，研究表明这种变化是可逆可重复无畸变的超高速相变。 2 2 4 一系列的电学性能和光学性能的突变，如电阻率的变化幅值可高达 10 ~10 倍， 而红外光的透过率、吸收率等参数也会成数倍的改变。最新研究表明，外加变化 的强电场也会导致 VO2 相变。这些优异的特性使得 VO2 材料在新型热敏器件、 光敏器件、光电开关和红外探测等领域都有着广阔的应用前景。 本文首先介绍了 VO2 材料的相变特性及广泛应用，从微观结构的角度分析 了其相变机理，并给出了 VO2 材料的晶体结构图和电子能带图。随后详细介绍 了磁控溅射法制备 VO2 薄膜的原理及流程，在p-Si 基片上制备了VO2 薄膜样品， 并通过 XRD 、FSEM 等分析测试手段研究了薄膜样品的晶体结构和组分，总结 了制备VO 薄膜过程中避免生成 V O 、V O 等杂质的方法。 2 6 13 2 5 接着提出了以 VO2 薄膜为导电沟道的场效应晶体管的概念，设计了一种基 于 VO2 材料的新型薄膜晶体管，对 TFT 的单元结构进行了优化和修正，绘制了 4×4 阵列 TFT 器件的 IC 电路图和掩膜版图。通过磁控溅射镀膜、光刻刻蚀和蒸 镀剥离等工艺，在2cm×2cm 的p-Si 基片上制备出了导电沟道长度为 40um 的TFT 器件。进行了IDS-VGS 输出特性测试、IDS-VGS 转移特性测试以及介电栅漏电流测 试，得到了 VO2 薄膜 TFT 对栅极电场、源漏电压的响应特性曲线，对其电学开 关特性进行了详细深入的研究分析。 证实了 VO2 材料的电致相变特性的存在，得到了 VO2 相变过程的 I-V 电滞 回线，发现 VO2 的电致相变也是可逆相变，结果显示 VO2 沟道电流突变幅度至 少为两个数量级以上，分析认为电子注入是导致 VO2 电致相变的根本原因，临 7 2 界注入电流密度在 10 mA/cm 量级。最后还分析总结了本文制备的薄膜晶体管的 不足之处，并提出了相应的改进方案。 关键词关键词：二氧化钒： 开关特性 薄膜晶体管 I-V 测试 关键词关键词：： I 华 华 中中 科科 技技 大大 学学 硕硕 士士 学学 位位 论论 文文 华华 中中 科科 技技 大大 学学 硕硕 士士 学学 位位 论论 文文 Abstract VO is thermally induced phase transition material. Temperature or thermal ra- 2 diation intensity’s changes can lead to its phase t