散射体高度对二维射频压电声子晶体能带结构的影响.pdfVIP

超声学 ————————————————————————————————————————————一 散射体高度对二维射频压电声子晶体能带结构的影响 田亚会，李红浪，柯亚兵，何世堂 声学微机电实验室 摘要：声子品体因其丰富的带隙特征得到广泛关注。近年来二维射频压电声子晶体在声表 瓶波器件领域表现小独特的特性，有着广阔的应用前景，因此成为研究热点。带隙特征的有 效表征方法之·是能带结构．H前对二维射频压电声予晶体能带结构影响因素分析较少·本 义针对有限厚压电基片及其表谣的金属点阵组成的二维射频压电声予晶体，采用有限元方法， 使用COMSOL仿真．分析了，敖射体高度对这种二维射频压电声子晶体能带结构的影响。通 过结果对比分析发现，随着散射体高度的增加，能带结构中带隙范围增大，且向高频偏移。 此分析结果有助于二维射频艇电声子晶体更好地应用在声表面波器件领域。 关键词：二维压电声予晶体能带结构散射体高度有限元 l引言 M．S．【lj和 声子晶体(PhononicCrystal，PnC)是上世纪90年代初Kushwaha M．M．12】提出的概念，即弹性常数和密度周期分布的材料或者结构。类比于 Sigalas 光波在光子晶体中传播【3】，弹性波在PnC中传播时受其内部周期结构的作用而形 成特殊的色散关系即能带结构，色散fHl线之间的频率范围称为带隙，带隙频率范 围的弹性波传播被抑制，带隙外的弹性波得到传播。 近几年，随着美国Sandia实验室在2007年第一次报道了微悬浮膜压电PnC 的成功制备【4】，二维射频压电PnC成为研究的热点。所谓二维射频压电PnC，在 结构上采用了微纳米级加工工艺，使PnC的应用不再局限于宏观尺寸的低频段． 而同样可以应用在MHz／GHz；在材料上使用压电材料，将PnC的应用扩展到压 电领域。二维射频压电PnC显示出诸多优势，例如多禁带【s】、高反射率与局域态 验室就相继报道了基于二维射频压电PnC的声波斟∞】及谐振腔【lI】。 已有研究分析了材料参数f12】、填充率【13】、散射体的形状㈣等对低频段PnC 能带结构的影响，然而对二维射频压电PnC能带结构的影响因素分析很少， T．T．Wu[15】在2008年分析了薄板上不同散射体高度的二维射频压电PnC的能带结 构。本文针对可应用于声表面波器件的有限厚压电基片及其表面的金属点阵组成 的二维射频压电PnC，采用有限元方法使用COMSOL商业软件计算了不同散射 体高度的能带结构，通过分析得到散射体高度对二维射频压电PnC能带结构的影 响，为二维射频压电PnC更好地得到应用到声表面波器件领域奠定了理论基础。 ．415． 2二维射频压电PnC能带结构的FEM计算模型 本文采用的：二维射频塍电PnC由金祸钨点阵分布在有限厚的128。YXLiNb03 基体上，如图1(a)所示，取基体表面为xy平面，垂直基体表面为z方向。图1(b) 为单胞计算模型．图l(c)是正方格子二维射频压电PnC在倒格子空间中的第…- Brillouin区，其中阴影部分为不可约Brillouin区。 W 一 一 Ca) (b) (c) 陶l(a)：二维射频联电PnC模型；(b)草胞计算模型；(c)正方品格第 有压电本构方程： D=，．E+e：S 及弹性介质的牛顿运动方程： V·T=p萨02U—F (2) 在没有外力及外电场情况下，结合方程(1)与方程(2)得到压电介质中的 眶电耦合波动方程