ZnS衬底上GeCGaP增透保护膜系的制备及红外光学性质.pdfVIP

第26卷第10期 光 学 学 报 V01．26，NO．10 2006年10月 ACTAOPTICASINICA October，2006 文章编号：0253—2239(2006)10—1589—5 红外光学性质 李阳平 刘正堂 赵海龙 李 强 (西北工业大学材料学院，西安710072) 摘要：把GeC／GaP双层膜用作ZnS衬底的长波红外(8～11．5pm波段)增透保护膜系。采用射频磁控溅射法， 以高纯Ar为工作气体、单晶GaP圆片为靶制备了GaP薄膜；用射频磁控反应溅射法在高纯Ar和CH。的混合气 收系数，对薄膜的红外透射率曲线进行最小二乘法拟合，得到了它们的厚度及折射率、吸收系数等光学常数。GaP 膜的折射率与块体材料的相近，在波长10pm处约为2．9；GeC膜的折射率较小，在波长10弘m处约为1．78。用所 得到的薄膜折射率，通过计算机膜系自动设计软件在ZnS衬底上设计并