RF磁控溅射功率对ZnOAl薄膜结构和性能的影响.pdf

光电子·嫩光 9 第19卷第12期2008年12月 of V01．1No．12Dec．20Q8 Journal Optoelectronics·Laser RF磁控溅射功率对ZnO：AI薄膜结构和性能的影响 杨伟锋1，刘著光1，吕 英1，黄火林1，吴]E-Z-1’2。 (1_厦门大学物理系，福建厦门361005；2．厦门大学萨本栋微机电中心，福建厦门361005) 摘要：采用RF磁控溅射技术以ZnO：Alz03(2wt％A12Q)为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO：A1(AZO) 薄膜，通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率(50～300w)对薄膜 的组织结构和电学，光学性能的影响。分析表明：所制备的AZO薄膜具有C轴择优取向，并且通过对不同功率 下薄膜载流子浓度与迁移率的研究发现对于室温下沉积的．d∞薄膜，晶粒间界中的0原子吸附是影响薄膜电 学性能的主要因素。同时发现当功率为250W时薄膜的电阻率降至最低(3．995X10_3Q·cm)，可见光区平均 透射率为91％。 关键词：RF磁控溅射；透明导电薄膜；AzO薄膜 中图分类号：0484文献标识码：A 文章编号：1005-0086(2008)12—1648-05 Oil EffectofRF theSUluctureand ofZnO：AIfilms power dep惦ited properties bymag- netroli sputtering YANG Huo-linl．wUZheng-yunl’2‘ Wei-fen雷，LIUZhu-guangL，IⅣYin91，HUANG of (1．DepartmentPhysics，Xiali*nUniversity，Xiamen361005，Claim,2．MEMSCenter，Xiamen University，Xiflmen 361005，China) fineoxidefilmsate azinco菇de Ah嘣：Aluminumdoped depositedmagnetron by sputteringusing targetdo#with differentRF on substrate．The8trblcturaiand cha阳ctedsticsofthefilms A12q(2、n％．)with powersquartz compositional are and theelectricaland 0fthethinfilms investiaatedbyⅪ≈D，AFM，SlM．AESXPS．respetivdy。while properties