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线性浓度缓冲层IGBT仿真特性研究 匡勇，贾云鹏，吴郁，胡冬青，屈静，苏洪源，李蕊 (北京工业大学，北京100124) 摘要：本文提出了一种新型场终止IGBT结构一线性掺杂场终止型IGBT(LineField Doping 有20．30pm宽，峰值浓度为3．5e15的缓变线性掺杂场终止层。采用仿真工具ISE．TCAD， LDFS．IGBT具有更低的的通态压降，同时保证良好的关断电压波形以及关断损耗。最后文 章提出了一种实现缓变线性掺杂场终止结构的制造新技术。 l引言 IGBT发展到今天其体结构经历了从穿通型(PT)、非穿通型(NPT)再到场终止型(FS) 的变化。相对于MOS、BJT，PT-IGBT具有较明显的优势，但是P十衬底上的外延工艺成本 很高，而且需要采用寿命控制的方法减低关断损耗，使得器件的可靠性差。1988年推出的 NPT是单晶制造，背发射区薄且轻掺杂，关断时，集电结电子电流占主要部分(大于50％)， 开关速率快，但是为了耐压的需要其n．耐压层较厚，这影响了NPT功耗的进一步降低。2000 年推出的FS。IGBT结合PT与NPT的优势，发射区薄且轻掺杂使得其关断速率快，通过背 面高能量高剂量注入场终止层使得其n．耐压层可以做到很薄。但是薄且高浓度的缓冲层不 仅其加工难度大而且电场终止能力不是很可靠。 针对上述问题，本文提出的一种线性浓度缓冲层分布结构的IGBT(LDFs-IGBT)，它 的特征是具有20．309m宽，峰值浓度为3．5e15的缓变线性掺杂场终止层。峰值浓度低且较 宽的缓冲层使得器件关断时耗尽层扩展不到场终止层边界，关断电压尖峰小，器件可靠性可 以得到很好的保证，同时器件结构有具备离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P发射区，从 而具备NPT-IGBT的优点。这为常用的600VIGBT提供了在保证良好的关断电压波形和关断 损耗的同时具有更低的的通态压降的器件结构。文中提出的实现缓变线性掺杂场终止结构的 制造新技术通过掺杂实验证明具有良好的可实现性，其主体加工工艺与现有IGBT技术兼 容。图1给出的是LDFS．IGBT与NPT-IGBT、FS—IGBT结构示意图。 NPT—IGBT F孓IGBT LDFS．1GBT ●EI —E— f≮Q岁 n。基区 50 n一墓匡 ri一基医 0(单品衬底) (单晶衬底) (单晶衬底) (无寿命控制 l(无寿命控制) 无寿命控甫_J 扎曼慧爹毖，_；_ 、C N型场终止医 lpm，高能氍注 C P集电区(1}肌，离子注入) 图l 本研究提出的LDFS．IGBT与NPT、FS—IGBT结构对比图 ofthe LDFS—IGBT,NPT-IGBTandFS-IGBT F191．SchematicStrgctpres 285 2新结构以及仿真模型选取 进行仿真，对比其关断波形以及关断损耗。 2．1仿真所用的器件结构参数 为了正确对比LDFS．IGBT与其他类型IGBT之间性能的优劣，仿真时用的器件结构是 以下面两点为前提的： 1各类IGBT的耐压都相同： 2各类IGBT的正面MOS结构参数都相同。 MOSFET结构基础上，为了保证耐压的需要，其底层结构不同，具体见表1，图3给出的是 三种不同结构掺杂浓度分布图。