SiSiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制.pdfVIP

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第22卷第11期 半 导 体 学 报 v。1.22,N。】1 2001年11月 CHlNEsE 0F JOURNALSEMICoNDUCTORSNov..2001 andFabricationof Optimization PMoSFETs‘ Des蟾n Si/SiGe YANG Qi‘,CHEN Mo—hual.HELin2 Pei—fe“91,LIJing—chunl,YU xianl,YANG Yon91,XIEMeng LI Kai—zhou2,LIu andFANze—rui2 Kai—chen92,TAN Dao—guan矿,zHANG Jin92,YIQian92 1 Sn扭㈨d npdnm辑|可Micr捌。£”…5E“g…t“g,Un晰盯时。fEE髓c…csc㈣…d Tech加kg, (2Ⅳ4fⅢ眦f足印山曲rnfo叫0,An口如g,c5,C^甜朋1月F400060,(m…) Abs‘r_c£: thetheoretlcaIand computersimuIatlon,the for Thro”gh aTlaIysls optlmlz甜deslgnprlnclpIesS1/SiGe PM()SFET5 the choiceof determinationof the ar。glven,IncIudl“g gatemat盯mls,the Ge and m percenta2eproflle SlGechanneI,thethlck吣s ofdioxideand optlmlzation sillcon the ofthresh。ld caplayer,andad】ustment voItage.1n ofthem,aSlGePMosFETis and ll曲t fabricated measurementsindlcate deslgned successfully.The thatthe transconductaneeis45mS/mm(300K)and siGe 92mS/mm(77K)forPMOSFEr’s(上一2“m),whIlelt 1s33mS/ m皿(300K)and PMOSFET. 39mS/mm(77K)f。rSj Keywords:SiGe;MOSFET;optimizat

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