氮氩比对AlNx薄膜微观结构与光学性质的影响.pdfVIP

第32卷第1l期 太阳能学报 V01．32．No．1l 2011年11月 SOIARISSINICA ACTAENERGIAE Nov．．201I 文章编号：025441096(2011)11．1710-04 氮氩比对AlM薄膜微观结构与光学性质的影响 杜 淼，郝 雷，刘晓鹏，吕 芳，米 菁，李志念，蒋利军，王树茂 (北京有色金属研究总院能源材料与技术研究所，北京100088) 摘要：利用射频反应磁控溅射技术制备了氮化铝(AIN，)薄膜。采用x射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可 见一近红外分光光度计分析氮氩比对A1N。相结构、表面形貌、沉积速率以及薄膜光谱透过率的影响规律。氮氩比显 著影响溅射薄膜的成分和相组成，进而影响薄膜的透过率。当氮氩比小于4／156时，薄膜由金属铝组成；当氮氩比 大于6／154时，薄膜由立方-AIN相组成。薄膜形貌随氮氩比例增大由粗糙不规则状的颗粒转化为均匀致密的细小 颗粒，A1N，薄膜的沉积速率随之减小。光学性能测试结果表明，AIN，薄膜透过率由金属铝膜的零增加为83％， AIN。薄膜在300—2500nm波长范围内透过率较高，而在大于2500nto的近红外区透过率显著下降。 关键词：AIN。薄膜；磁控溅射；透过率 中图分类号：TQ603．1 文献标识码：A 为99．99％的氮气作为反应气体，在硅片(Si)和玻璃 0 引 言 (Glass)基底上沉积氮化铝薄膜。基体试验前各使 氮化铝是一种宽禁带材料，禁带宽度为6．2eV，用丙酮和酒精超声清洗15rain，去离子水冲洗烘干 是重要的蓝光和紫外发光材料，其热导率高 后放在溅射室中用心等离子轰击清洗15min。溅射 (320W／(m·K))、硬度大、熔点高(2700℃)，可用于 工艺如下：本底真空度低于5×10一Pa，溅射气压为 高温高功率的微电子器件和深紫外光电子器件¨，2J。 0．85Pa，铝靶溅射功率为600W，基底可绕轴向公转 此外，氮化铝在光谱选择性吸收涂层领域也有潜在 和自转，公转转速为1r／rain。保持通入气体的总流 的应用前景口吲。以氮化铝薄膜为陶瓷减反射层， 量为160seem，通过调整氩气与氮气的流量比来控制 在300—2500nm波长范围内具有高透过率，在大于 薄膜成分，具体工艺参数如表1所示。 2500nm的红外区有高反射率，因此可以吸收太阳光 表1 AINx的试验参数 使其透过而减少红外光透过进入环境。 Table1 for SputteringparametersAIN；films 近来，我们研发了系列具有光谱选择性吸收性 能的氮化物涂层【9]，发现氮化物薄膜光学性能与薄 膜物相、厚度和显微形貌密切相关。本文研究了溅 射气氛中氮氩比对AIN。薄膜物理和光学性能的影 响规律，对获得制备最佳光谱选择性吸收性能的氮 化物薄膜和研究氮化物薄膜光谱择性吸收的规律与 机理至关重要。 1材料与方法 采用射频磁控溅射方法制备了不同化学计量比 的氮化铝薄膜。以纯度99．95％的金属铝靶作为溅 X’Pert 薄膜的晶体结构由带薄膜附件的Philips 射靶材，纯度为99．99％的氩气作为起辉气体，纯度型x射线衍射仪进行分析，入射角为0．5。。表面形 收稿日期：2010-01—10 基金项目：国家自然科学基金；科技部院所