MOSFET封装不良和最终测试的技术研究.pdfVIP

Dissertation Submitted to Shanghai Jiao Tong University for the Degree of Master THE TECHNICAL STUDY ON ASSEBMLY DEFECTS AND FINAL TEST OF MOSFET Candidate： Shen Ye Student ID: 1062102133 Supervisor： Prof. He Weifeng Assistant Supervisor: Academic Degree Applied for ： Masters Degree Speciality： Software Engineering Affiliation ： School of Microelectronics th Date of Defence ： May. 29 , 2010 Degree-Conferring-Institution ： Shanghai Jiao Tong University I MOSFET 封装不良和最终测试的技术研究 摘 要 MOSFET 是分立器件中最为重要的一类产品，在许多领域起着难 以替代的作用。本文将通过研究 MOSFET 封装不良在最终测试中表现 出的特点，来对产品的最终测试流程进行改进，从而提高产品的质量, 满足客户对品质越来越高的要求。 MOSFET 的封装主要由晶圆切割，晶粒黏贴，焊线，封塑，切割 成型这五大流程组成。每个流程中都有一些主要的不良类型，会影响 到最终测试的通过率和成品的质量。本文的重点就是针对不同的不良 类型，研究它们在最终测试中表现出特点。基于研究所得结果，对现 行的最终测试流程进行三方面的综合改进。第一，定义设定测试项目 上下限的方法，提高测试程序的筛选能力。第二，根据测试结果对应 的封装不良类型进行分Bin ，使得从分 Bin 结果就可以比较准确的判断 出问题。第三，改进产品的收率管理，补充测试程序筛选能力的不足， 保证成品质量。 通过本文的研究和改进，可以有效提高 MOSFET 成品质量并改善 良品率。在SSU2N60B 产品上运用本文的方法后，良品率比前六个月 提高了约 1%，质量抽检不良和客户投诉数量也大为减少。 关键词：封装，最终测试，失效分析，可靠性，离群值 II THE TECHNICAL STUDY ON ASSEBMLY DEFECTS AND FINAL TEST OF MOSFET ABSTRACT MOSFET is one of the most important discrete devices, which is playing irreplaceable function in many areas. The dissertation is going to study the characteristics of assembly defects in final test of MOSFET to improve the final test process, and so the quality could be elevated to meet the customer’s growing demands on quality. The assembly of M