SnO-%2c2-压敏材料分析.pdf

王勇军 摘 要 摘 要 本文在研究以SnO：为主要成分的新型压敏材料方面做了开创性的工 、、—、／—————————一 作，发现了多种新的压敏陶瓷材料：如Sn02-MgO．Nb：O，、Sn02-ZnO．Nb：O， 和Sn02-Bi，O，-Nb：O，等，系统地研究了这些材料的物理性质和电学性质。 用传统的粉末合成法制备多晶陶瓷材料。为了得到性能较好的陶瓷 材料，对工艺进行了一系列探索，通过扫描电镜(SEM)和x射线衍射分 析(XRD)研究了烧结温度、烧结时间、烧结气氛、退火等各种因素对材 料微观结构及电学等方面性能的影响。 系列檄料实验研究表明：掺杂物MgO的含量为o．5m01％时材料的非线性最 好。非线性系数超过6：少许MgO和Nb，O。的加入显著地提高了SnO，的介 电性能。纯SnO，的室温相对介电常数仅为9．65(测量频率1KHz)，而 常数的增加可归因于狭窄的晶赛处产生的极化；从频率特性的测量中可’ 发现，非线性较好的样品低频电阻较大，而介电常数和介电损耗则较小。 进一步比较还可以看出，非线性较好的样品的电阻随频率变化的幅度也明 显比本系列其他样品大。低频情况下压敏陶瓷材料主要表现出晶界的性能， 而高频情况下则主要表现出晶粒的性能。由此结论并结合上述实验现象可 以得出结论：高频、低频电阻之间的差别事实上就是晶粒、晶界电阻之间 的差别，所以对应于电阻随频率变化幅度较大的样品非线性性能也较好。 掺杂改性实验结果表明，作为受主添加物，Co：0，既能提高99．45％SNO：- o，5％MgO．0．05％Nb，O。压敏陶瓷的致密度，又能改进其非线性特性一} 研究了掺杂物ZnO含量对Sn02-ZnO．Nb，O，压敏材料性能的影响。皤 度、失重率和非线性系数的测量表明，ZnO含量为1．0m01％时材料的性能 盛好。这一结论由势垒高度的测量计算结果加以证实。由频率特性测量发 现，非线性较好的样品的低频电阻比非线性较差的样品大，而在高频情况 下其电阻却呈现小于非线性较差样品电阻的趋势。ZnO进入晶粒和进入晶界 第2页 摘 要 王勇军 所起的不同作用是：进入晶粒时Zn0与SnO：发生替代反应产生氧空位，增 加电子迁移的几率，降低晶粒电阻；在晶界中则作为受主杂质。提高晶界 电阻。与非线性系数和势垒高度的测量结果相对应，ZnO含量为1．0t001％ 的样品低频电阻最大，介电常数和介电损耗最小。 掺杂物Nb：O，对SnO：．ZnO-Nb20，压敏材料性能的影响根据其行为可分 好：在掺杂物Nb，O。的含量超过0．4m01％时，材料的击穿电压明显增大，但 非线性性能却没有明显的改善。当Nb：O，的含量超过某一数值时，势垒增 厚对非线性的削弱作用就抵消甚至超过了势垒增高对非线性的促进作用， 、 材料的非线性系数变小。j ／ 敏材料的非线性电压非常高，超过 总体来看，Sn02崩20，-Nb20，压 20000V／cm，很适合高压输电线路中和 防雷系统中的电压保护装置。@憾的 是本系列材料密度较低，非线性系数不高。在烧结工艺和掺杂改性两方面 进行探索，以提高Sn02．Bi20，-Nb205压敏材料的性能。改变烧结温度对 SnO：．Bi：0，．Nb：0，压敏材料的物理性能并没有明显的促进作用：掺杂物 Co：03对SnO：．Bi：0，-Nb：0，压敏材料的非线性特性和致密度两方面性质都有 明显的促进作用。k 三苎垩 茎兰塑至 蒸!墨 一 ABSlRACTS materialssuchas vailstor hovelSnO，-basedceramic Several