通道噪声对神经元新陈代谢能量的影响.pdfVIP

摘要 本文分别研究了在阈下信号和阈上信号刺激下，离子通道噪声对神经元新陈代谢能量 损耗的影响，同时研究了神经元对温度的适应性。 首先简单介绍了神经元基本的动力学性质和神经元内的噪声。神经元是神经系统的基 本单元，动作电位是神经系统传递外界刺激并传达中枢神经系统所做出的反应的电信号。 动作电位是～种定型的单元，它们在所有已研究过的神经系统中是信息交换的通用钱币。 动作电位一旦发生，其幅度和时程将不由刺激的幅度和时程所决定。德国物理学家、生物 学家Helmholtz认为不同神经兴奋的所有差异，仅取决于该神经相连接的器官，以及它所传 递的兴奋状态。 神经元内有三种噪声：热噪声、通道噪声和突触噪声。本文重点研究了通道噪声的影 响。 物理研究的一个常用方法就是利用一些简单的模型来探索各种现象背后的自然规律， 第二章着重介绍了近年来最成功的几种模型。确定性的HH模型是由大量通道的平均效应 得来的，是在膜面积较大的情况下的一种近似。当膜面积较小，膜上的通道数量有限时， 必须考虑因通道状态的自发的转换而引起的膜电压的涨落，这时必须用随机的SHH模型来 描述神经元的电特性。同时给出了描述SHH神经元系统的方法：Markov过程的占有数方 法。而FHN和RH模型也是近年来人们常采用的模型。采用哪种模型应根据模型的特性和 所要研究的侧重点来决定。 HH模型和SHH模型基于离子通道理论，所以我们采用这两种模型研究离子通道噪声 对神经元新陈代谢能量损耗的影响是合适的。第三章利用Markov过程的占有数方法模拟离 子通道，并采用SHH模型研究阈下信号刺激时离子通道噪声的影响。首先分析了动作电位 发放率随膜面积的变化，进而得出神经元动作电位发放过程中新陈代谢的能量损耗与膜面 积的关系。模拟结果显示，存在一个最优的膜面积，使得神经元以最小的能量代价来进行 工作，这个最优的膜面积与实际神经元的膜面积基本一致。我们同时研究了神经元对温度 的适应性，发现神经元在室温(200C)下能够以较小的能量消耗来工作，即室温为神经元工作 的最适温度。 第四章研究了阈上信号刺激下通道噪声对神经元新陈代谢能量的影响，并与第三章的 模拟结果做了对比。研究表明，阈上信号刺激时，神经元的代谢能量损耗与膜面积近似呈 线性的关系；而神经元的最适温度上升为290C。 最后一章对我们的工作作了总结，并对将来的研究工作作了展望。 Ⅱ Abstract cost the Inthis studiedtheeffectsofchannelnoiseonmetabolic when paper’we energy underandexceedthresholdvalueare spike considered，respectively． and mechanismsofneuronandthe First，we introducethe features briefly dynamic physical isthebasicunitofthenervous theaction isusedto channelnoise．Neuron system，and potential nervous onexternal andcommunicatethe ofthecentral passed stimulatingsignal responsesignal