n掺杂石墨及其场效应晶体管研究.pdfVIP

Study of N-doping of Graphene and Field-Effect Transistors A Thesis Submitted to Chongqing University in Partial Fulfillment of the Requirement for the Degree of Master of Science By Beidou Guo Supervised by Prof. Liang Fang Associate Prof. Jianru Gong Major: Condensed Matter Physics College of Physics of Chongqing University Chongqing, China May 2011 中文摘要 摘 要 石墨烯是由sp2 杂化碳原子构成的一种具有蜂窝状六方点阵结构的二维纳米材 料，是构成其它维度碳材料的基础。石墨烯的长程π 共轭电子，使其具有优异的 热学、机械和电学性能。因此，研究者对石墨烯未来在纳米电子学、材料科学、 凝聚态物理以及低维物理方面的应用产生了广泛的兴趣，但石墨烯在电子领域的 应用受限于它的零带隙特性。为了打开石墨烯的带隙，研究者探索了许多方法， 比如剪裁石墨成量子点、纳米带、纳米网格或者把石墨烯铺到特殊的衬底上，其 中一个可行的方法就是通过掺杂来调控石墨烯的电学性质，但本征石墨烯具有完 美的蜂窝状结构，很难通过杂质原子的掺杂来调控其电学性能，为此，本文重点 + 对N 离子注入实现石墨烯的掺杂进行了探索。 本文制备了机械剥离和还原氧化两类石墨烯，利用光学显微镜、AFM 、拉曼 光谱、傅里叶红外光谱、XPS 、AES 等手段对石墨烯进行了表征；对两类石墨烯 + 分别进行了N 离子注入和随后的退火处理，成功实现了两类石墨烯的掺杂；并制 备了相应的石墨烯场效应晶体管，研究了其电学性能。 得出的主要结果如下： ① 利用表征石墨烯的重要工具——拉曼光谱，研究了石墨烯缺陷的变化与离 子注入剂量之间的关系。得到了合适的离子注入的剂量：1× 1014 cm-2 ，在此剂量 下，石墨烯表面会有适当的缺陷用来掺杂，并且这些缺陷可以通过退火来消除； ② 发现在氮气中退火样品的拉曼光谱谱峰的蓝移比在氨气中的明显。这可能 是因为在氨气中退火后氮原子掺杂进石墨烯，使得石墨烯产生较小的应变； ③ 采用 XPS 和 AES 检测了在氮气和氨气气氛中退火的离子注入石墨烯样 品。结果显示，在氮气中退火的样品中没有N 信号，而在氨气退火的样品中有N 信号。结果说明了离子注入的石墨烯通过在氨气中退火，实现了N 掺杂； ④ 为了研究不同石墨烯样品的电学性质，制备了背栅石墨烯场效应晶体管。 结果显示，本征石墨烯场效应晶体管是双极晶体管，它的电导最小值位于正栅压 位置，说明石墨烯是p -型掺杂。用在氮气中退火的离子注入石墨烯制备的场效应 晶体管的双极特性消失了，电导最小值仍然处于正栅压位置，还是p -型掺杂。用 在氨气中退火的离子注入石墨烯制备的场效应晶体管显示出了双极特性，在真空 中它的电导最小值位于负栅压位置，表明是n-型掺杂。 此外，本文还研究了还原石墨烯的掺杂，利用拉曼光谱和傅里叶红外光谱表 + 征了N 离子注入后的还原石墨烯的结构，制备了场效应晶体管，并测试了其电学 + + 性能。结果发现，N 离子注入还原石墨烯和本征石墨烯不同，N 离子与还原后的 I 重庆大学硕士学位论文 氧化石墨烯表面的官能团发生了反应，从而起到了掺