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离子注入againas材料诱发界面混合的实验和计算机模拟研究
山东大学硕士攀位论文
摘 要
在这里我{fl主要磺窥AIGaInAs吴矮缝梅誊孝鞑，它变要被燕予长波长
料，A1GaInAs相对前者丽言具有稳定往良好，作成的激光二极管不需要主动
式教热投等优势。双异袋缨发必耱糕一般采鼹P．i-n结捣，载滚子鹣终哀怒麦
能带的跋迁和掺杂引起的能带的位移形成的。为了提供有效的载流子约束，
发光层癸有适当的掺杂。常规扩散方法缀难达到疆想静效果，离予注入技术
霹以很容易地控露《枣孝料撰伤的浓度和深度分毒，闲丽是一秘有效爨露秃序漫
含手段。离子注入引入的界面无序混合(简称IILD)已被用于制备其他III．
V族亿合物材辩的发毙器件和一维霞子线舜质结。函就我们焉模拟离子在晶
体枣孝料中输运过摆的程序对离子注入AIGalnAs枣孝料时磺发生鲍各秘现象进
行了模拟，得到了一些有髓的结果。本论文研究的对象就是用金属化学气相
蕊的试验，并且对AIGalnAs材料避行了一些计算枧模拟方面的研究。
本论文主要进行了以下工作：
～、 穷缮了半鼯俸：霉获结静物疆洼瑷，辨延生长技米，舞延生长异质鲐的
几种质量表镊方法以及量子异质结的界面混合在器件上的～些应用；
二、 介绍了界丽增强扩散的几种典型机制。并对瞬态增强扩散攒型做出～
些分凝与讨论，莠奔绥了晁耱试验赛瓣增强扩散静静主要方法{对离子
注入尉的InGaAs／GaAs异质绪中的应力和界蕊混会进章亍了分析和评价。
三、 简要介绍了有关离子与固体相互作用的理论。。给出了一种原子移位
级联瓣理论撰整葶鞋诗舞方法并滋明了注入离予辩耱辩缮分戆影确。
四、 修改并利用CCIC程序对离子注入AlGalnAs材料所发生的各种现象
进行了模拟研究。
关灌运：离子注入，吴攫鳍，券瑟潼合，蒙特卡罗攘羧
生查点堂堡主篓堡丝壅
Abstract
materlats-are
heterostmcmre
andAIGatnAs
materials mainly
AIGaInAs applied
the of field．This
in field 550nm)communication
wavelength(980nm一1
long
betterthermal thanOaInAsPmaterial
mmerial has stability system,which
system
xvave
iso建usedin communication。So,AIGatnAs
long has渺把n矗畦of．
the doesnotneedactive
materialsinceformer
GaInAsPsystem cooling
replacing
of heterostra醴ures
蠡效，The龇ctureand AtGalnAs／GaAs
properties quantura
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