离子注入againpgaas系列材料的计算机模拟.pdfVIP

摘要 ／A}GalnP材料是宽带隙高效发光材料，而且这种四元素化合物通过 组分改变可同时调整带隙宽度和晶格常数以满足与多种III—V族化合物 性能优异的双异质结发光材料，具有较宽的直接带隙(1．9-2．3eV)，可实 现从红光到绿光的波长f11。双异质结发光材料一般采用p-i—n结构，载流 子的约束是由能带的跃迁和掺杂引起的能带的位移形成的。对于 AIGaInP／GalnP材料丽言，为了提供有效的载流子约束，发光层要有适当 的掺杂(2j。常规扩散方法很难达到理想的效果，离子注入技术可更容易 地控制材料损伤的浓度和深度分布，因而是一种有效的手段。离子注入 引入的界面无序混合(简称IILD)已被用于制备其他Ⅲ．V族化合物材料 的发光器件和一维量子线异质结口』1，本实验室目前正在进行关于离子注 入增强AIGaInP量子阱界面混合的研究，为配合实验工作的开展，我们 编制了一套关于离子在晶体材料中输运过程的模拟程序，并对离子注入 A1GaInP材料时所发生的各种现象进行了模拟，得到了一些有益的结果， 、7 这正是本论文的工作。／ 本论文主要包含以下内容： 一、简要介绍了与我们的研究内容相关的关于离子与固体相互作用的理 论，包括核阻止本领、电子阻止本领和注入离子射程分布的概念和 计算方法。绘出了一种原子移位级联的理论模型和计算方法并说明 了注入离子对材料组分的影响。 二、 在分析已有计算机模拟原子碰撞级联工作的基础上，结合本专业研 究工作的需要，编制ij：5一套具有某些特点的Monte Carlo型材料中 离子传输和碰撞级联模拟程序。详细介绍了程序所使用的物理模 I 塑三鎏垒垒!璺!!!!!Q!坐墨型塑型婴!±墨盟篓丝 ． 型，在计算散射角时应用了Magic公式㈣，在计算电子阻止本领时 andRobinson公式㈣。该程序可用来考 使用与碰撞参数有关的Oen 察离子在单晶靶中的射程分布，材料损伤分布，表面溅射及反冲注 入引起的组分再分布，多量子阱界面混合效应等与原子碰撞级联有 · 关的物理现象。 三、利用程序对离子注入AIGalnP材料所发生的各种现象进行了模拟研 ’ 究，得到了某些有益的结果n纷别介绍如下： 1． 计算了不同离子在材料中的射程及浓度分布，并将计算结果与 理论及TRIM模拟结果做了比较，二者的结果是一致的。通过对注 入离子沿不同晶面和不同偏角入射时的模拟结果进行比较，能够看 出晶体中沟道现象对射程分布的影响。 2． 对低能下材料表面溅射情况做了模拟研究，发现移位闽能的大 小是影响溅射产额的重要因素。考察了不同能量、注入剂量下溅射 产额的变化，验证了N．Anderson等人m关于相对溅射产额与质量关 系的理论研究。我们还研究了溅射的深度，发现深度在20A以内的 原子对溅射有贡献。 3． 进行了晶格损伤的模拟研究。首先考察了关于原子移位级联的 Kinchin—Pease模型i”，结果表明他们的模型基本能够反映原子移位 ， 的情况，但更精细的描述应该用后来的Lindhard和Robinson等人19) 给出的公式。通过对点缺陷空间分布情况模拟结果的分析，发现材 料中各元素的损伤峰的位置大体相同，比离子在材料中的平均投影