超薄多层膜的多类磁电阻效应.pdfVIP

摘要 是磁学界的研究热点，开展这些问题的研究，一方面可以增加我们对与磁构型有关 的电子输运性质的了解，另一方面对于研制和开发具有广泛应用价值的新型电磁材 料和器件有着极为重要的意义。j 本论文为探索性实验研究，主要是用多种实验方法和实验手段对多种系统的具 有不同物理机制的磁电阻进行研究，涉及的磁电阻主要有：金属多层膜中的巨磁电 阻，合金型低饱和场的磁电阻，隧道结型磁电阻以及各向异性磁电阻等。 中，以cu。。Mn。合金替代Cu层后，巨磁电阻行为会发生很大变化，饱和场／开关场同 时也会降低约1个多数量级，系统的灵敏度有较大的改善。／初步分析认为，这是由 于Cu基掺№后，交换耦合作用减弱，因此在夹层膜结构中，由不同Hc引起的局域 开关机制就可能会显著起来，导致夹层膜结构中出现了交换场和开关场混合作用机 制。通过对搀杂体系进行更系统的、深入的研究，发现CuMn合金在一定的配比范围 域内低场特性为最好，主要体现在灵敏度有大的提高。更进一步的研究发现，缓冲 层和覆盖层对低场行为有较大影响，而无相应CuMn合金缓冲层和覆盖层时，低场行 为类似隧道结。在Co／Cu／Co结构中，以最佳配方的CuMn合金层替代非磁中介层后， 同时再辅以上钉扎Co-CoO层替代Co层并保持合适的配比，自旋阀性能进一步得到 、 改善，更具实用价值。J 对界面掺杂体系的磁电阻研究得到的主要结果是：通过在Co／Cu／Co结构中的 0e和60 化，磁电阻略有减小，为3．2％，但开关场有很大的变化，仅为20 0e，较 掺杂前降低约两个数量级，同时发现随着掺杂厚度的改变，两种不同界面的掺杂体 系的磁电阻有较大差异的衰减长度。 MR／CIP—MR)。 ABSTRACT than Moreten alterthe of inFe／Cr years discoverygiant metallic magnetoresistance(GMRl in ofthe is 1988，commercialization evidenced multilayers technology byproduct introductionsin field readheads sensors，MRand forhard magnetic memory drives．Today, intensiveresearchlow on field and GMR，magnetic tunnelinganisotropic still continuedsince olleofthemis for magnetoresistance(AMR)are suitable application． the This