超高密度垂磁记录用ndfeb薄膜的研究.pdf

摘 要 目前传统的水平磁记录技术已经达到了技术上的物理极限，为了提供更 大容量的信息存储系统来继续助推信息化社会的发展，人们把主要希望寄托 在了垂直磁记录技术之上。本论文研究了可用于超高密度垂直磁记录介质的 可以允许把晶粒尺寸降低到几个纳米左右，同时保持足够的热稳定性，从而 可以获得更小的记录信息单元，以实现更高的汜录密度。 实验上采用直流磁控对向靶溅射来制各NdFeB薄膜。研究了不同衬底层 上NdFeB薄膜的生长过程和溅剩条件、薄膜厚度、成分和热处理对NdFeB 薄膜结构和磁性的影响以及添加微量元素对薄膜晶粒形貌和磁性的改善作 用，并深入讨论了不同条件下NdFeB薄膜的矫顽力机理和反磁化过程，对 NdFeB薄膜的抗氧化和热稳定性问题也进行应用性研究，主要得到以下结论： 1．NdFeB薄膜的织构表现出随衬底材料、溅射温度疋和薄膜厚度每三者的 关联变化：Ta衬底上Tp525。C和占200nin时，Mo衬底上7525。C oC和dRl00 和6s100nm时，A1衬底上380。C瓦525rlln时，W衬底上 380。CI：490。C时，NdFeB薄膜具有垂直各向异性。 o)晶面上准外延生长出Nd2Fel4B(OOf)结构，超过 2．NdFeB薄膜可以在W(11 l临界厚度f～30 mn)N，逐渐N(105)织构转变。这种准外延生长关系受溅 射温度的影响比较大，高温下很容易破坏。 3．薄膜中加入过量Nd原子或添加适量Cu原子可以增加硬磁性相的晶化动 力，降低结晶温度(特别是Cu添加量大于2．7at．％后瓦从440。C降到了 340。c1，但同时也导致了磁性晶粒的过分生长。 4．添加不同量的zr，Cr，B和Al原子都可以增加薄膜的垂直各向异性能。 前两者对提高晶粒形貌没有作用，后两种情况下晶粒可以得到有效的细 化和均匀，并降低了晶粒间的耦合强度。添加Ag和Mo原子会破坏NdFeB 薄膜在w上的准外延生长，使薄膜表现为各向同性，并使晶粒过分生长。 5．衬底层和保护层的使用以及本底真空的提高可以有效抑制Nd原子的氧 化问题。对原位溅射NdFeB薄膜，可以使用后热处理二次晶化法来提高 NdFeB薄膜的垂直各向异性能和温度稳定特性。 6，薄膜的反磁化过程依赖于它的成分和制备过程。600。C后热处理 Nd223Fe72685l(50nrn)薄膜的反磁化过程是由畴壁位移控制的； Ndl5 2812 8Fe72o(15nm)薄膜是以磁矩的非一致转动方式进行反磁化的； Ndl5,8Fe7041312oCuls(15nm)薄膜的反磁化主要是由畴壁钉扎决定的； Ndl：8Fe667Bl2oZr5 5(15 run)薄膜中大部分晶粒的磁矩是一致转动反磁化 的：NdissFe66 2812()CLXloAl5 n薄膜晶粒整体上具有致转动的磁化反转过 程．在局部区域由FC轴分布和较强的耦合作用表蚬出非一致转动反磁 化过程。 2 本沦文实验上获得的最佳NdFeB薄膜的成分结构为w(5rim)／Nd”8Fe66 B12 oCujoAl5 o(15 nm)／W(60run)，其性能参数为：弘≈710emwcmj，Sj=1，岛= 24．8 kOe，D=22 0．1．总L kOe．鼠“=0．7 nln，Ra=2，5nm，a=2．8。可见陔 薄膜非常具有作为下一代超高密度垂直磁记录介质的潜力。 Abstract thetraditional has Presently longi