22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．62，No．20(2013)208501 22nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管 单粒子瞬态效应研究术 毕津顺十 刘刚 罗家俊 韩郑生 (中国科学院微电子研究所，北京 100029) (2013年5月22日收到；2013年7／917日收到修改稿) 利用计算机辅助设计技术数值仿真工具，研究22am工艺技术节点下超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子 瞬态效应，系统地分析了掺杂地平面技术、重离子入射位置、栅功函数和衬底偏置电压对于单粒子瞬态效应的影 响．模拟结果表明，掺杂地平面和量子效应对于单粒子瞬态效应影响很小，重离子入射产生大量电荷，屏蔽了初始电 荷分布的差异性．单粒子瞬态效应以及收集 电荷和重离子入射位置强相关，超薄体全耗尽绝缘体上硅最敏感的区 域靠近漏端．当栅功函数从4-3eV变化到4．65eV时，单粒子瞬态 电流峰值从 564 A减小到 509 A，收集 电荷从 4．57fC减小到3．97fC．超薄体全耗尽绝缘体上硅器件单粒子瞬态电流峰值被衬底偏置电压强烈调制，但是收集电荷 却与衬底偏置电压弱相关． 关键词：超薄体全耗尽绝缘体上硅，单粒子瞬态效应，电荷收集，数值仿真 PACS：85．30．TV’61．80．Ed，94．05．Dd DOI：10．7498／aps．62．208501 会导致航天器发生灾难性事故．因此，为了确保航 1弓l言 天器在轨长期可靠运行，对半导体芯片的可靠性， 特别是抗 SEE的能力提出了更高的要求 [7，8]．单粒 与体硅金属 ．氧化物 一半导体场效应 晶体 子瞬态 (SET)效应是 SEE最重要的子类之一，是 管 (MOSFET)相比，基于绝缘体上硅 (SO1)技术的 入射粒子引起 电流和 电压的瞬时波动，主要发生于 MOSFET器件 的抗辐射性能优越，已被广泛应用于 逻辑 电路部分，对于纳米尺度器件和 电路影响尤为 空间和军事等领域 [1{2]．目前，半导体工艺技术 已 严重． 进入纳米尺度，根据 ITRS2011(国际半导体技术蓝 由于超薄的顶层硅膜限制了灵敏 电荷产生体 图)_3】由于其优异的短沟道效应控制能力[4-6】，超 积，UTBFDSOI器件被认为可 以更好地抑制单粒 薄体全耗尽绝缘体上硅 (UTBFDSOI)技术被公认 子瞬态效应 9[110】．但是对于22nm及其 以下工艺节 为 22am互补金属 ．氧化物 ．半导体 (CMOS)工 点的UTBFDSOI器件而言，情况更加复杂．一方 艺技术节点以下的首选方案之一．基于 22nmUTB 面，随着 电源 电压和器件面积等 比例缩小，电路敏 FDSOI技术，可 以设计和制备更高性能和更高集成 感节点存储 的电荷越来越少；另一方面，随着器件 度的半导体芯片，满足航天等领域解决复杂任务的 沟道长度进入纳米尺度，寄生双极晶体管 (PBJT)放 需求． 大效应进一步增强．这些因素有可能会抵消超薄顶 然而空间辐射环境中的高能带电粒子会对 电 层硅膜带来的优势，增加UTBFDSOI器件的软错 子元器件的性能产生强烈的影响．特别是单粒子效 误敏感度．因此需要深入研究和分析纳米尺度UTB 应 (SEE)，将导致 电子元器件功能异常或失灵，甚至 FDSOI器件的SET效应． 国家 自然科学基金 (批准号61176095)资助的课题 十通讯作者．E—mail：bijinshun@im