34乙撑二氧噻吩的合成的研究.pdfVIP

摘要 摘 要 3，4一乙撑二氧唾吩 (3，4一ethylenedioxythiophene，E D o T ) 是合成重要导 电聚合 物聚 (3 ，4一乙撑二氧 唾吩) (PE D T ) 的单体 。PE D T 是 目前研 究和应用最 多的一种 导 电聚合物 ，通过聚苯 乙烯磺酸 (PSS ) 掺杂 ，解决 了PE D T 不溶 、不熔难 以加工 的问题 ，所得 的 PED T/P55 膜具有高 的导 电率 ，透 明性好 ，较强 的机械强度 ，且 具有很好 的抗水解性和光稳定性及热稳定性 ， 目前 己在 固体 电解 电容器和抗静 电 涂层等方面获得广泛应用 ，预计它在通孔线路板涂层 、光 电二极管 、太 阳能 电池 、 电磁屏蔽 、吸波 隐身材料等方面有广泛 的应用前景 。但是 目前 3，4一乙撑二氧唆吩 的合成条件极其苛刻 ，工艺步骤繁杂 ，使其价格极其 昂贵 。 目前 国内完全依赖进 口，限制 了它 的应用 。因此 ，改进其合成方法 ，降低生产成本具有重要 的意义 。 本文重 点研 究 了 3，4一乙撑二氧唾吩 的合成方法及工艺 。3，4一乙撑二氧 噬吩 的 合成主要采用 Jonas 的五步合成法 ，包括酷化 、环化 、醚交换 、水解及脱梭五步反 应 ，最后一步 的脱梭反应对产 品的最终产率影 响最大 。前 四步 的合成反应较 为温 和 ，产率也都在 80 % 以上 ，能满足大量生产 的要求 ，而最后一步脱梭反应 的反应 条件苛刻 ， 目前文献报道 的最高产率约为 60 % 。本文通过大量实验 ，选择 了多种 催化剂及溶剂 ，利用 正交试验设计法对 3，4一乙撑二氧唾吩 的合成工艺进行 了优化 ， 得到 了最佳工 艺条件 。在最佳工艺条件下 ，产率达到 85 % ，较文献提高 25 % ，产 物纯度达到 99 % 以上 ; 反应温度为 160 ℃，较文献 降低 20 ℃ ; 反应 时间为 2 小时， 较文献缩短 了 10 小时 。同时采用 多元醇代替文献 的哇琳作溶剂 ，使得环境污染及 毒副作用显著 降低 。 最后 ，对催化剂 的作用机理 、溶剂化效应 以及脱梭 反应机理给予 了合理 的解 释 。 关键词 : 2，5一二 甲酸 一3，4一乙撑二氧唾吩 ，3，4一乙撑二氧唾吩 ，脱梭 ，催化剂 ， 溶剂 A B S T R A C T A B S T RA C T P oly (3 ，4一ethylenedioxyth ioPhene) (PE D T ) 15 one of the im Portant eonducting Polym ers，w h ieh ean be doPed w ith Poly (styrene su lfonie acid )(P SS ) to PrePare P E D T /P S S m u ltiP le film s.T h is k ind of film s Po ssesses h igh conduetan ce (105/cm ) and v isib le ligh t tran s而 ssio n ，stron g me eh an ieal in ten sity an d ex ee llen t stab ility，farth er m o re，w h ieh 15 ea sy to b e m an u fac tu red .R eeen tly，th e P o lym er h as b een ab le to d ev e loP su eeessfully th e aP P lieati on of so lid eleetro lyte eaP aeitors an d an tistatie eoatin gs on P lastie . In ad d itio n ，it c an a lso b e aP P lied in fra 一ran g in g field s，su