《Pr掺杂CdS薄膜的制备及其光电性能研究.》.pdf

第35卷 第4期 稀 土 Vol_35．No．4 2014年 8月 ChineseRareEa~hs August2014 Pr掺杂 CdS薄膜的制备及其光电性能研究 邹 凯 ，李蓉萍 ，刘永生 。，田 磊 ，冯 松 (1．内蒙古大学 物理科学与技术学院，内蒙古 呼和浩特 010021； 2．内蒙古 自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室，内蒙古 呼和浩特 010021) 摘 要 ：结合化学水浴法和真空电子束热蒸发法在玻璃衬底上制备了含有不同厚度 Pr掺杂层 的CdS多晶薄 膜 ，并对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行了研究。结果表明，未掺杂的CdS薄膜为沿 [111]晶向择优生长的 立方相闪锌矿结构，导电类型为N型。Pr掺杂并未改变CdS薄膜的物相结构和择优取向，但衍射峰强度增加；掺 Pr后 CdS薄膜的晶粒尺寸增大，致密性提高，并且薄膜在可见光范围内的透过率增加，光学带隙变大。同时还发现 CdS中掺Pr后影响了薄膜的电学性能，掺杂浓度较低时CdS薄膜电阻率增大，掺杂浓度较高时薄膜的电阻率降低 并且导电类型由N型转变为P型。 关键词 ：CdS薄膜；Pr掺杂；化学水浴法 ；光学特性 中图分类号 ：0472；4084．4 文献标识码：A 文章编号：1004-0277(2014)04-0062-05 CdS是化学性能稳定的宽禁带半导体材料。由 Ga)Se太阳电池整体性能的措施之一，改善电池顶 于其在可见光范围内具有较高的透光性，因而在薄 层材料CdS薄膜的光电性能成为人们关注的重点。 膜太阳能电池 中常常作为 n型窗 口层和缓冲层材 近期有研究表明适当的稀土元素掺杂可以有效改善 料，与P型CdTe、Cu(In、Ga)Se等形成异质结太阳 半导体材料的性能 ]，并且Chen 和Tianl4分 电池 J-2J。同时CdS还具有优异的光电转换和发光 别报道 了采用真空蒸发法和化学水浴法制备稀土掺 性能，在红外探测、发光二极管、传感器和光电显示 杂CdS，他们的研究表明稀土掺杂不仅影响了CdS 器件等领域也具有广泛的应用 -4j。CdS多晶薄膜 的晶体结构 、表面形貌，还改善了CdS的发光特性 的制备方法也有很多种，例如近空间升华法(CSS)、 和光学透过率。因此我们在化学水浴法的基础上． 溅射 法、电沉积法、溶胶一凝胶 法和化学水浴 法 两次沉积 CdS，并利用 电子束蒸发法在两层 CdS薄 (CBD)等。其中化学水浴法容易生长均匀致密的 膜中沉积一层稀土元素，对 CdS薄膜进行Pr掺杂， CdS薄膜，并且设备简单、成本低、适合大规模生产， 研究其结构、光学和 电学性能。希望制备出具有 良 因此成为最有发展前景的方法 。 目前高效率的 好质量且光电性能优异的CdS多晶薄膜，为提高 Cu(In、Ga)Se、CdTe太阳能电池都是在化学水浴法 CdTe、Cu(In、Ga)Se太阳电池性能探索新的途径。 沉积的CdS多晶薄膜上制备而成 。 1 买验 方法 CdS作为重要的n型窗 口层和缓冲层材料，其 掺杂浓度一般要求达到 10埔cm 左右 ’；在实际应 1．1 CdS薄膜样品的制备 用中，CdS薄膜的表面形貌，结晶状况、电阻率以及 两层 CdS薄膜均采用化学水浴法制备。实验 在可见光范围内的光透过特性也是衡量其性能优劣 以二氯化镉为镉源，硫脲为硫源，[cd(NH )]“为 的重要因素。因此作为进一步提高 CdTe、Cu(In、 镉前驱体，缓冲剂为 NHC1，反应在氨水溶液中进 收稿 日期：2o13-o4．11 基金项 目：内蒙 占自治区教育厅项 目(NJ09006) 作者简介：邹 凯 (1988一)，男，陕西西安人，硕士