超薄层雪崩光电极管器件的蒙特卡罗模拟.pdfVIP

超薄层雪崩光电二极管器件的蒙特卡罗模拟 专业：光学工程 硕士生：陈诗育 指导老师：王钢 摘 要 本论文主要利用蒙特卡罗的计算方法，对磷化铟基(InP)和氮化镓基(GaN) 雪崩光电二极管结构(APD)进行模拟研究，主要的内容包括： 1．利用蒙特卡罗算法搭建半导体器件计算机模拟平台。蒙特卡罗计算机模拟方 法是半导体器件设计和性能研究的有效方法，本文通过对蒙特卡罗各个随机模 块的细分，利用C语言在Linux平台下搭建了一套模拟程序。目前它可以对硅 能上的研究，如速度分布、电子，空穴能量分布等，并在此基础上可以实现对 一些简单的器件结构，如光电二极管(PIN)、雪崩二极管(APD)等结构性能 的研究，如带宽、噪声、增益等性能。 2．利用蒙特卡罗计算机模拟平台对ImP材料及InP基的APD结构的特性进行 深入的研究。InP基的APD是目前光通信系统中探测器部分的首选，本文主要 针对超薄层的InP基APD结构进行一系列的研究，特别研究了其在高电场下碰 撞电离，噪声特性，带宽特性等重要的性能指标。通过模拟研究我们发现，在 高电场，薄倍增层的情况下，电子和空穴的碰撞电离系数(or，p)不再是传统理 论中只随电场分布的物理量，同时它也跟倍增层的厚度有密不可分的联系。在 此基础上，我们探讨了作为衡量噪声特性的空穴与电子碰撞电离系数的比值k =D旭，发现k值在薄层条件下也会随着厚度的变化而变化，并最终提出了通过 修订k值来修正传统噪声理论的设想。 3．利用蒙特卡罗计算机模拟平台对GaN材料的特性进行深入的研究。GaN基 的APD器件在火焰探测器等方面有着重要的应用前景，本文对GaN的体材料 结构进行一系列理论上的模拟分析，并通过碰撞电离机制的引入，成功的模拟 IV 出GaN材料在高电场下的特性，同时我们发现GaN材料空穴与电子碰撞电离 系数的比值k在高电场的条件下会出现突变的特性，该特性可能对GaN材料在 噪声研究和器件结构设计有大的积极作用。 关键词：蒙特卡罗雪崩二极管碰撞电离 V Monte Simulation The Carlo of andThin HighSpeed AvalanchePhotod Layer iode Major：OpticalEngineering Chen Master：Shiyu Supervi sor：GangWang ABSTRACT Inthis basedandGaNbasedavalanche are paper,InP photodiodes analyzedby MonteCarlosimulationmethod．Themaincontentincludesthe using following three parts： asemiconductorsimulation MonteCarlomethod． 1．Constructing platformbyusing MonteC