《一步法制备BNSi复合团簇结构》.pdfVIP

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2016-01-18 发布于河南
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《一步法制备BNSi复合团簇结构》.pdf

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《一步法制备BNSi复合团簇结构》.pdf

第39卷第2期人工晶体学报 Vo1．39 No．2 2010年4月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS ADril．2010 一步法制备BN／Si复合团簇结构任书霞，籍凤秋，王建雷，张光磊 (石家庄铁道学院材料科学与工程分院，石家庄 050043) 摘要：以球磨的B／BN混合物为原料，采用一步法在蘸有催化剂的硅片上合成了大量BN纳米刺包裹在 si纳米或微米线上的复合团簇结构。EDS和SAED表明外层的纳米刺是六方 BN多晶，里面包裹的si纳米或微米线则是立方的si单晶。实验结果表明合成温度对BN／Si复合结构形成有重要影响，只有在 1250℃以上的温度才会生成 BN ／ si复合团簇结构，另外只有当硅片与样品接触时才会形成复合产物。PL光谱显示复合产物在360／1111的激发下，其发光峰在 303nm(4．1eV)和423nm(2．93eV)处。关键词：BN／Si复合团簇结构；．--步法；PL光谱中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2010)02-0459-06 SynthesisofCompositeClustersofBN／SibyOneStepRoute REN Shu—xia．JIFeng-qiu．WANGJian—lei，ZHANGGuang—lei (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，ShijiazhuangRailwayInstitute，Shijiazhuang050043，China) (Received8October2009，accepted4January2010) Abstract：Usingball-milledB／BN mixturepowdersasraw materials，BN sheathinglayers stackedbythorn— likenanostructuresonsiliconnanowiresormicronwiresweresynthesizedOfftheiron-depositedsiliconsubstrate byone—steproute．Theas—synthesizedproductsgrew serf-assembledformingthemicrosizeclusters ofBN／Si． TheresultsofEDSandSAED indentifiedthatthenanowiresormicmnwiresinsidewerecubicSiwith single crystalline structureand theouterlayerswere hexagonalBN with polycrystalline structure．Experiments showedthatthecompositeclusters oftheBN ／Siwereabletogrow onlyabove1250 c(=．Th epo sitionofSi substratewasalsoanimportantfactorfortheformationofBN／Siproduct．Ifthesampledidntcontactonthe Sisubstrate，noBN／Siproductsformed．Thephotoluminescence(PL)spectrumshowedtwoemissionspeaksat 303nm(4．1eV)and423nm(2．93eV)exsitunderexcitationat360Bin． Keywords：compositeclustersofBN／Si；one—steproute；PL spectrum 1 引