最新半导体物理学3.ppt

第三章 半导体载流子的统计分布 §3.4 （非本征）杂质半导体的载流子浓度： 一.杂质能级占据几率： 1．杂质能级上电子占据情况： 1°晶体能带：a，电子在整个晶体中做共有化运动 b，每个电子运动能级有两个反自旋量子态 c，电子间相互作应很弱，两个态相互独立 即一个态被占据，不影响另一态被反自旋电子占据 d，服从费米运动 2°杂质能级：a，电子被杂质束缚, 局域态 b，未被占据的态可能被两种不同自旋的电子占据 c，两自旋态是相关的；即当一个电子以任一自旋方式占据某杂质 能级后，即不可能有第二个电子占据该能级的另一自旋态 以类氢施主为例：施主俘获一个电子后，静电斥力将使另一自旋态能量 显著提高，→ 引起简并 3.多数载流子小结：以N型为例说明P.63,F.3-9, P.65,F.3-10, 和P.67,F.3-