一维纳米ZnO及复合材料的发光二极管.pdf

摘要 摘要 一维纳米ZnO及其复合材料的发光二极管 氧化锌(ZnO)，作为一种重要的宽禁带半导体材料，具有优良的光电性能， 目前已被广泛地研究应用到发光二极管、光伏电池、激光等光电领域。自从发现 室温下ZnO纳米线的紫外激光发射以来，一维ZnO纳米材料如纳米棒、纳米管、 纳米带等由于在纳米器件和光电器件中的潜在应用前景而受到了人们极大的关 注。 发光二极管由于具有高效节能的特点，很有可能取代传统的白炽灯和荧光 灯，成为新一代的照明光源。ZnO是继GaN之后最有可能实现商业化的光电材料。 如何将一维纳米ZnO材料更好地应用到发光二极管领域，已经成为研究的热点。 本论文着重应用电化学方法，通过各种途径，提高ZnO纳米棒发光二极管的 发光效率，调节一维纳米ZnO材料的电致发光谱段，主要进行了以下两方面的研 究工作：(1)采用电化学方法分别制备ZnO纳米棒膜、ZnO纳米棒与聚3一甲基噻 纳米棒／PMT发光二极管、ZnO纳米棒／CuSCN发光二极管，研究其电致发光性能， 探讨了其电致发光的机理。(2)采用电化学方法制备ZnO纳米管膜，探讨ZnO纳米 管的形成机理；构建ZnO纳米管发光二极管，研究其电致发光性能及发射白光的 特性。获得如下主要的研究结果： 一、ZnO纳米棒膜的电化学制备以及ITO／ZnO／AI发光二极管的构建 1．优化恒电流阴极还原法在ITO基底上电沉积ZnO纳米棒膜条件，使制备的 ZnO纳米棒能均匀地覆盖在ITO基底上，高度较为一致，排列紧密，直径大 约为130nm；ZnO纳米棒锌氧元素的比例接近l：1，具有六方纤锌矿型的 晶体结构，在ITO基底上有很好地沿c轴取向生长的优势；在340nm单色 ZnO 光照射下，控电位OV(VSSCE)时产生阳极光电流，为n型半导体； 摘要 纳米棒膜的荧光光谱由强的382nm处的紫外发光和弱的500--600nm波段 的可见发光构成，紫外发光是ZnO纳米棒的激子复合发光，而可见光谱带主 要是由缺陷引起的跃迁发光。构建了ITO／ZnO／A1发光二极管，其启动电压 大约为8V，电致发光谱带形状与ZnO纳米棒膜的荧光光谱相似。 二、PMT／ZnO纳米棒复合膜的制备以及ITO／ZnO／PMT／Al发光二极管的构建 1．以ZnO纳米棒／ITO为工作电极，在ZnO纳米棒膜上恒电流聚合了P型PMT 膜。从光电流谱和荧光光谱图都可以看出当ZnO纳米棒与PMT复合之后，缺 陷态有所增加。 2．主要采用电化学方法构建IT0／ZnO／PMT／A1发光二极管，其卜矿特性曲线图 表现出了良好的p-n异质结的整流特性。与ITO／ZnO／AI发光二极管相比， V，电致发光谱带的形状 ITO／Zn0／PMT／A1发光二极管的启动电压略小，为7 相似，但是紫外的发光强度增强了约三倍。电致发光增强主要是由于在相同 的偏压下IT0／Zn0／PMT／Al发光二极管的电流明显增大，以及所增加的PMT 层降低了空穴注入的势垒，较好地平衡了电子和空穴注入的速率所造成的。 可见发光的强度随PMT聚合时间的增加而增大，这是由于在PMT的电聚合过 程中能使ZnO纳米棒的缺陷态增多引起的。 1．以ZnO纳米棒／ITO为工作电极，在ZnO纳米棒膜上用恒电位阴极还原法电 沉积了均匀、致密的P型夕一CuSCN薄膜，制备了CuSCN／ZnO纳米棒复合膜。 复合膜中ZnO的含量大约为CuSCN的7．9倍，Cu与SCN的比例大约为1．0。 CuSCN／ZnO纳米棒复合膜的瞬态光电流谱出现了尖锐的前后峰，说明ZnO纳 米棒在电沉积了CuSCN后，表面态增多。复合膜的荧光光谱也进一步证明了 这一点。 2．主要采用电化学方法构建ITO／Zn0／CuSCN／Au发光二极管，其卜矿特性曲线 图说明n型ZnO纳米棒与P型CuSCN之间形成了P—n异质结。 II 摘要 IT0／Zn0／CuSCN／Au发光二极管