纳米二氧化硅对rf2ARE信号通路的影响及其作用.pdf

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纳米二氧化硅对rf2ARE信号通路的影响及其作用

摘要 目的:本论文就Nr也脚信号通路在nm.Si02毒性中的作用及其影响 进行了研究。从细胞和动物水平,探讨了nm.Si02暴露诱导的氧化损 伤、Nr晓/ARE信号通路对n/n.Si02毒效应的防御作用及其机制,为 nm.Si02的人群暴露风险评估提供数据,并对ILrn.Si02的毒性机制进行 了初步探索。 方法:nlll—Si02(10-20nto)和u m.Si02(1-5I,tm)经表征后,①分别 用不同浓度的nm.Si02矛Ngm.Si02暴露A549细胞,检测其细胞活力, 11 确定IC50:再用浓度15 观察其形态学变化,并检测其细胞凋亡、细胞周期、细胞膜电位、SOD 活性、ROS含量及Nrf2脚信号通路相关蛋白的表达。②构建 u 白对照组和阴性对照组,分别用浓度为15g/ml的IIlTI-Si02暴露,检 相关蛋白的表达。③选取IcR小鼠和Nr晓./.ICR小鼠,分别作为对照 组与实验组,用nnl.Si02或生理盐水暴露14天;测量体重变化与肺、 肝、肾脏器系数;并观察暴露后小鼠肺部hill.Si02的亚细胞定位和小 鼠肺部病理改变;同时检测小鼠肺组织内ROS含量、T.AOC、8-OHdG 含量及Nrf2/ARE信号通路相关蛋白的表达。 结果: 表征显示两种材料粒径合格、无重金属杂质、分散良好、无 明显团聚。Onm.Si02暴露后A549细胞出现明显细胞毒性效应,存在 u 剂量-效应关系,ICso为25.063 g/ml;nm—Si02暴露(1599/m1)后A549 万方数据 细胞凋亡率增加但无细胞周期阻滞效应;细胞内ROS、SOD活性上升; m.Si02暴露后A549 细胞膜电位下降;Nrf2/ARE信号通路被激活。而u 细胞密度无明显变化;同剂量1.tm.SiOz暴露后细胞凋亡率无明显变化, 无细胞周期阻滞效应;SOD活性与细胞膜电位无明显变化;细胞内 通路激活受阻导致HO.1蛋白表达下降,而PERK蛋白表达上调。③ 而实验组小鼠肺组织细胞内发现沉积的nln.Si02。随着暴露时间延长, Nm./-4,鼠体重逐渐下降,肺、肝脏器系数均下降,各肺叶均存在不 同程度的损伤;肺组织内ROS、8.OHdG含量上升,T-AOC下降; 白表达反馈性上调。 u 结论: nnl.Si02(10.20nm)的毒性大于lam.Si02(1.5m),能诱 导机体产生氧化损伤。而Nrf2/ARE信号通路的激活可以抵抗nm.Si02 诱导的氧化损伤。Nrf2/ARE信号通路相关蛋白的表达可作为ntn.Si02 人群暴露危害监测潜在的生物标志物。 通路 万方数据 ABSTRACT ontheroleofNrf2/ARE Thisresearchfocused signaling Objectives dataforthe itsinfluence.To onam—Si02’S and provide pathway toxicity

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