第四章半导体的导电性朱俊精要.ppt

令： （RH）P为P型材料的霍尔系数 考虑样品的尺寸：宽度b；厚度d VH为霍尔电压 ： 霍尔系数为： 在一定的外加磁场与电流下，测定霍尔电压，可得到 霍尔系数，从而可得到载流子浓度。 2. 霍尔角θ及空穴迁移率μ和电导率σ 横向霍尔电场的存在，使得在有垂直磁场下电场和电流 方向不在同一个方向上，两者之间有个夹角，即霍尔角。 εx εy qεy fL ε θ J 迁移率为： 电导率 通过霍尔角的标定可以得到迁移率和电导率 假设对N型半导体加的磁场、电场与P型相同，达到稳态， y方向无净电荷流动 N型材料的霍尔系数 可以从霍尔系数的符号判断半导体材料的极性 三、两种载流子同时存在时霍尔效应 1．霍尔效应的形成过程及霍尔系数RH Note:霍尔系数的推导不能从受力平 衡推导，而是横向电流为零作为前提！ 有三种横向电流： ● 空穴在磁场力作用下，漂移 运动发生偏转，使电流产生横 向分量，形成的横向电流 ● 电子在磁场力作用下，漂移运动发生偏转，使电流产 生横向分量，形成的横向电流 ● 电子和空穴在y方向霍尔场作用下形成的电流 －y方向 +y方向 霍尔系数为： 四、霍尔效应的应用 1．判别极性，测半导体材料的参数 2．霍尔器件 3．探测器 第四章 小 结 一、迁移率和电导率 二、载流子的散射 三、迁移率和电导率随杂质浓度和温度的变化 四、Boltzman 方程和电导的统计理论 五、强电场效应（自学） 六、霍尔效应 例1：已知常温下，在半导体Si中掺入浓度为1×1015/cm3的P元素，计算其电导率。若再掺入的6.1×1016/cm3 B元素，计算其电导率。如果再掺入6.1×1016/cm3 的As元素，其电导率又如何变化？ 解： （1）N型 可查表4－1得 ∵在常温下，杂质全部电离，且： ∴材料处于饱和电离区 （2） ∴P型 可查表4－1得 ∴材料处于饱和电离区 （3） 补偿抵消 查图4－14，可得： 例2：Page 143,习题3. 由图4－15 可知 NA ≈ 1.25× 1015 cm-3 ∴ 解： μp与掺杂无关， 从表4－1可查得： 例3： 对于中等掺杂半导体Si，其电阻率随温度的变化趋势如何？试加以定性分析。 解：Si的电阻率与温度的变化关系可以分为三个阶段： （1）温度很低时，电阻率随温度升高而降低。因为这 时本征激发极弱，可以忽略；载流子主要来源于杂质电 离，随着温度升高，载流子浓度逐步增加，电离杂质散 射是主要散射机构，迁移率随温度升高而增大，导致电 阻率随温度升高而降低。 （2）温度进一步增加（含室温），电阻率随温度升高 而升高。在这一温度范围内，杂质已经全部电离，同时 本征激发尚不明显，故载流子浓度基本没有变化。对散 射起主要作用的是晶格散射，迁移率随温度升高而降低， 导致电阻率随温度升高而升高。 （3） 温度再进一步增加，电阻率随温度升高而降低。 这时本征激发越来越多，虽然迁移率随温度升高而降低 ，但是本征载流子增加很快，其影响大大超过了迁移率 降低对电阻率的影响，导致电阻率随温度升高而降低。 当然，温度超过器件的最高工作温度时，器件已经不能 正常工作了。 本章习题： Page 143: 1、2、6、13、16、17 Edited by Dr Jun Zhu 2014-8-30 因此，在考虑了在外场下的漂移变化和散射作用，得到非平衡态下Boltzmann方程的一般形式： 在有外加电场或存在温度梯度时，非平衡系统的电子 分布函数发生变化（V 变、k变、f变），f (k, r, t) 电子的波矢k和位矢改变，使得在相空间（K, r)的分布发生变化 外场使得k和r改变—漂移作用 不断的散射k改变—散射作用 分布函数f不随r变化 2、驰豫时间近似 微分积分方程 很复杂，很难解出！ 3、弱场近似下Boltzmann方程的解 外场取消，由于散射使得分布函数趋向fo，从 非平衡到平衡的过程就是弛豫过程 小量 Force 在考虑速度的统计 分布时，只要把τ 用统计平均代替就 可以。物理的意义 没有差别。 Vf0在k空间积分为零 §4.6 强电场下的效应 热载流子（了解） 电场不强时，J=σE 服从欧姆定律。σ 、μ 和电场无关。但强电场下，电导率不是常数 电导率 载流子浓度 迁移率 在强电场中，迁移率随电场的增加而发生变化，这种效应称为强电场效应。 平均漂移速度不再与电场成正比 在强电场作用下欧姆定律发生偏离，迁移率随电 场增加而下降，速度随电场增加的速率开始减慢 ，最后达到饱和漂移速度 。 在强电场下，载流子获得的能量比其传给晶格的 更多，载流子平均能量比热平衡状态时大，因而 载流子与晶格系统不再处于热平衡状态，人们便 引进