半导体工艺原理硅的异质外延技术(贵州大学)资料.ppt

影响GaAs生长的因素 常压MOVPE生长GaAs (1)AsH3／TMG(V／III)对所生长的GaAs导电类型和载流子浓度的影响。 由图看出，在比值大的情况下，外延层是N型，载流子浓度处于低到中等(1014／cm3)区域内。随着ASH3／TMG比的减少，材料的载流子浓度也随之减少，并发生导电类型改变。当比值减少到大约20时，变为P型。 实验发现，产生导电类型转变区的精确的AsH3／TMG的比值与生长温度、生长速度以及源的纯度有关。此外，在比值大于30时，表面如镜面，而比值很低，小于10～15时，表面变得粗糙。 载流子浓度与AsH3／TMG的关系 (2) 外延层厚度对迁移率的影响。在半绝缘GaAs衬底上，相同的条件下，生长一系列厚度不同的外延层，测其迁移率，发现随着外延层厚度增加，迁移率迅速增加，在层厚25～30μm时，达到极大值，然后有所下降，但变化不大。产生上述变化的原因还不十分清楚，也许是界面处存在的淀积物或砷空位等缺陷或衬底中其他杂质扩散出来所致。 (3) 总杂质浓度和生长温度的关系。在富砷的生长条件下，温度是影响非掺杂GaAs外延层中总杂质浓度的最重要因素。实验发现，从750℃到600℃，外延层中的施主和受主浓度都随温度降低而降低。在600℃时，总杂质浓度1015／cm3。但低于600℃时，外延层表面变得粗糙。 (4) 源纯度对迁移率的影响。 在MOVPE生长非掺杂GaAs外延层中，杂质的主要来源是源材料，只要TMG和AsH3中一种纯度不够，迁移率就降低。早期源的纯度不够高曾限制了MOVPE技术的应用。目前采用一般的源可生长出载流子浓度小于1×1014／cm3，室温迁移率大于6000cm2／VS的GaAs外延层。 分子束外延生长(MBE) 分子束外延(molecular beam epitaxy，MBE)是在超高真空条件下，用分子束或原子束输运源进行外延生长的方法。在超高真空中，分子束中的分子之间以及分子束的分子与背景分子之间几乎不发生碰撞。 分子束外延与其他外延方法相比具有如下的优点： ①源和衬底分别进行加热和控制，生长温度低，如GaAs可在500℃左右生长，可减少生长过程中产生的热缺陷及衬底与外延层中杂质的扩散，可得到杂质分布陡峭的外延层； ②生长速度低(0.1-1nm/s)，利用快门可精密地控制掺杂、组分和厚度，是一种原子级的生长技术，有利于生长多层异质结构； ③MBE生长不是在热平衡条件下进行的，是一个动力学过程，因此可以生长一般热平衡生长难以得到的晶体； ④生长过程中，表面处于真空中，利用附设的设备可进行原位(即时)观测，分析、研究生长过程、组分、表面状态等。 分子束外延生长（MBE） MBE作为重要的超薄层生长技术，已广泛用于生长Ⅲ一V、Ⅱ一Ⅵ、Ⅳ～Ⅵ族等化合物及其多元化合物的单晶层，制做结构复杂、性能优异的各种器件。 缺点： MBE设备比较复杂，价格昂贵，使用时消耗大量液氮。某些元素如Zn的粘附系数较小，用这类元素掺杂尚有困难。 过去，由于MBE生长速率慢，每次只生长一片，因此只限于研究使用，目前，生产型的MBE已投入市场。 MBE的设备 MBE设备主要由真空系统、生长系统及监控系统等组成。 MBE生长系统 以不锈钢结构为主体，由三个真空室连接而成，分别为衬底取放室、衬底存储传送室和生长室。 三个室之间用高真空阀门连结，各室都能独立地做到常压和高真空转换而不影响其他室内的真空状态。这三个室均与由标准机械泵、吸附泵、离子泵、液N2冷阱、钛升华泵等构成的真空系统相连，以保证各室的真空度均可达到1×10-8～1×10-9Pa，外延生长时，也能维持在10-7Pa的水平为了获得超高真空，生长系统要进行烘烤，所以生长系统内的附属机件应能承受200~250℃的高温，并且具有很高的气密性。 生长室内设有多个内有BN或石英、石墨制的坩埚，外绕钨加热丝并用热电偶测温的温控炉。分别用来装Ga、In、Al和As以及掺杂元素Si(N型掺杂)、铍Be(P型掺杂)。温度控制精度为±0．5℃。在热平衡时气态分子(或原子)从坩埚开口处射出形成分子束射向衬底。由在炉口的快门控制分子束的发射与中止。 在分子束发射炉对面设置带有加热器的衬底架，利用In或Ga将衬底黏附在衬底架上。为了对衬底表面清洁处理还装有离子枪。监控系统一般包括四极质谱仪，俄歇谱仪和高、低能电子衍射仪等。 四极质谱仪用来监测残余气体和分子束流的成分。低能电子衍射仪可分析晶体表面结构，高能电子衍射仪还可以观察生长表面光洁平整度。。 各监测仪器所得信号，分子束发射炉温度信号等输入微机进行处理，自动显示并调节温度和快门，按编制的程序控制生长，以获得结构、组分、厚度等均符合要求的外延片。 质谱分析法:是 通