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■ 铝膜湿法刻蚀 对于铝和铝合金有选择性的刻蚀溶液是基于磷酸的。铝与磷酸反应的副产物是微小的氢气泡，结果既可产生导致相邻引线短路的铝桥接又可在表面形成不希望出现称为雪球的铝点。特殊配方铝刻蚀溶液的使用缓和了这个问题（含有磷酸、硝酸、醋酸和水）。典型的刻蚀工艺还会包含以搅拌或上下移动晶圆料盒的搅动。有时超声波或磁声波也用来去除汽泡。 湿法刻蚀 ■ 淀积氧化物湿法刻蚀 晶圆上的最终膜层之一是一层在铝膜上的二氧化硅钝化膜。它要求不同的刻蚀溶液。不同之处是所要求的刻蚀剂的选择性不同。通常刻蚀二氧化硅的刻蚀剂是BOE溶液。但是BOE会腐蚀下层的铝引脚，导致在封装工艺中产生压焊问题。受青睐的刻蚀剂是氟化胺和醋酸1:2的混合水溶液。 ■ 氮化硅湿法刻蚀 对于钝化层，另外一种受青睐的化合物是氮化硅。可以用液体化学的方法来刻蚀使用的化学品是热磷酸（180℃）。因酸液在此温度下会迅速蒸发，所以刻蚀要在一个有冷却盖的密封回流容器中进行。主要问题是光刻胶经不起刻蚀剂的温度和高刻蚀速率。因此，需要一层二氧化硅或其他材料来阻挡刻蚀剂。这两个因素已导致对于氮化硅使用干法刻蚀技术。 湿法刻蚀 ■ 湿法喷射刻蚀 湿法喷射刻蚀相对沉浸刻蚀有儿个优点。其主要优点是喷射的机械压力而增加的精确度。湿法喷射刻蚀最低程度地减小了从刻蚀剂来的污染。从工艺控制的现点来看，喷射刻蚀因刻蚀剂可被水冲洗及时地从表面去掉而更加可控。喷射刻蚀系统通常是封闭的，这增加了操作人员的安全性。 ■ 蒸气刻蚀 一种正在出现的技术是把晶圆暴露于刻蚀剂蒸气中。HF是最常用到的。其优点是有持续新鲜的刻蚀剂补充到晶圆表面并且可及时停止刻蚀。出于安全考虑，有毒蒸气需要密封在系统内。 湿法刻蚀 干法刻蚀 对于湿法刻蚀的局限包括： 1. 湿法刻蚀局限于3微米以上的图案尺寸 2. 湿法刻蚀为各向同性刻蚀导致边侧形成斜坡 3. 湿法刻蚀工艺要求冲洗和干燥步骤 4. 液体化学品有毒害 5. 湿法工艺有潜在的污染 6. 光刻胶粘结力的失效导致底切 基于这些方面的考虑，干法刻蚀被用于先进电路的小尺寸精细刻蚀中。干法刻蚀（dry etching）是指以气体为主要媒体的刻蚀技术，晶圆不需要液体化学品或冲洗。晶圆在干燥的状态进出系统。有三种干法刻蚀技术：等离子体刻蚀、离子束打磨（刻蚀）和反应离子刻蚀（RIE）。 ■ 等离子体刻蚀 等离子体刻蚀是使用气体和等离子体能量来进行化学反应的化学工艺。等离子体刻蚀机由一个反应室、真空系统、气体供应和电源供应组成。晶圆被送入反应室并且由真空系统把内部压力降低。在真空建立起来后，将反应室内充入反应气体。对于二氧化硅刻蚀，气体一般使用CF4和氧的混合剂。电源能量供应通过在反应室中的电极创造了一个高频电场。能量场将混合气体激发成为等离子体状态。在激发状态，氟刻蚀二氧化硅并将其转化为挥发性成分由真空系统排出。 干法刻蚀 ■平面等离子体刻蚀 对于更精确的刻蚀，有极性的等离子体系统受到青睐。这种系统是将晶圆被放置在一个有接地的、在射频电极下的盘上。刻蚀实际上发生在等离子体中。刻蚀离子相比在桶形系统中是有方向性的，将导致更加各向异性刻蚀。用等离子体刻蚀可得到几乎垂直的侧边。在该系统中，旋转晶圆盘可增加刻蚀均匀性。 干法刻蚀 干法刻蚀 ■ 离子束刻蚀（离子铣） 离子束刻蚀是一个物理工艺。晶圆在真空反应室内被置于固定器上，并且向反应室导入氩气流。当进入反应室，氩气便受到从一对阴阳极来的高能电子束流的影响。电子将氩原子离子化成为带正电荷的高能状态。由于晶圆位于接负极的固定器上，从而氢离子便被吸向固定器。当氩原子向晶圆固定器移动时，它们会加速，提高能量。在晶圆表面，它们轰击进入暴露的晶圆层并从晶圆表面刻掉一部分。离子束刻蚀也叫做喷溅刻蚀（sputter etching）或离子打磨（ion milling）。材料的去除（刻蚀）非常有方向性（各向异性），导致良好的开口区域精密度。因为是物理工艺，离子打磨的选择性很差。 干法刻蚀 ■ 反应离子刻蚀 反应离子刻蚀（RIE）系统结合等离子体刻蚀和离子束刻蚀原理。系统在结构上与等离子体刻蚀系统相似，但具有离子打磨的能力。RIE系统一个主要优势是在刻蚀硅层上的二氧化硅层。它们的结合使得选择提高到35:1，而在只有等离子体刻蚀时为10:1。RIE系统已成为用于最先进生产线中的刻蚀系统。 干法刻蚀 ■高密度等离子体刻蚀 在先进的集成电路制造技术中用于刻蚀关键层最主要的刻蚀方法是单片处理的高密度等离子体刻蚀技术。对于0.25微米级以下尺寸的