第二章三极管的构成原理与电路放大功能.docVIP

Chap2 三极管构成与放大电路 三极管放大功能(直流,交流)用来制作放大器件，放大作用针对变化量(交流)而言。规定：电压方向是以共同端（0点）为负端，其他各点为正端。电流的假定方向以流入电极为正，以流出电极为正。 2.1 晶体管构成与特性方程 2.1 晶体管构成原理 三极管的放大作用是在不同极性的外加电压作用下,载流子的不同传输过程形成的. 三极管分为NPN和PNP型.NPN型是有两个PN结的三层半导体制成.中间P区很薄浓度低,两边各有一个N区.从三个半导体区接出引线称为电极:发射极e,基极b,集电极c,对应半导体区称为发射区,基区和集电区.发射区比集电区杂质浓度高,在某些电路中,两个区发挥的作用可以互换. 三极管构成： 式中:e发射极(发射N区),b基极(基P区),c集电极(集电N区),pne发射结(发射区与基区交界处),pnc集电结(基区与集电区交界处).发射极电流,在发射结正向压降作用下,传输到基极,形成基极电流;接着在集电结反向电压作用下漂移到集电极，形成集电极电流；构成基极回路与集电极回路。 三极管电流分配与放大原理 2.1.1 NPN晶体管在直流电路的放大功能----偏置电路 内部作用.发射区(起点)作用,向基区注入载流子,基区(中间传输)传送和控制载流子,集电区(目标区)收集载流子,单向. 双向:?? 外部条件: 基P区空穴浓度低,发射N区向基P区注入(多子)电子,因此在发射结加上正向电压,发射PN结正向偏置，再使基P区的非平衡少子(非平衡多子?)能传输到集电区,因此在集电结加反向电压,集电极接正极. 三极管的电压极性关系:,发射结正偏,集电结反偏.集电结空间电荷区比发射结厚.当基极接地，发射区电流为输入电流，集电区为输出电流。 一．共基极放大电路管内载流子传输过程: ①发射N区向基区注入电子.发射结势垒减小,发射区多子不断通过发射结扩散到基区,形成发射极电流,方向与电子电流相反.同时基区空穴也扩散到发射区. ②电子在基P区的扩散与复合.发射区电子在基区形成浓度梯度,电子向集电结扩散的过程中与基区空穴复合,基区电源正端从基区拉走电子,好像不断供给空穴.电子复合数目与电源拉走的电子数目相同,是基区空穴浓度基本维持不变.形成了基极电流,基极电流是电子在基区与空穴复合的电流.若基区很厚浓度高,则很大,从发射区到达集电区的电子数目很少,因此基区几微米,杂质浓度低.电源在复合中的作用：PP区的空穴源源不断地产生。 ③集电区收集扩散过来的电子.集电结反向电压,势垒增加,使集电区电子和基区空穴很难通过集电结,然而越过基区扩散到集电结边缘的电子受到势垒的很强吸引力,漂移过集电结为集电区所收集,形成集电极电流.基区电子是非平衡的，却能形成集电极电流。并且不是依靠扩散而是完全被电场控制。集电结反向偏置产生基PN区空穴漂移电流: 说明：ICBO受到温度影响很大，使管子不稳定，所以在制造过程中应减少ICBO。ICBO的产生与发射结没有关系，所以发射极开路，集电结的反向饱和电流。 二．电流分配关系与电流放大系数： 说明：式中载流子来源是。在基区，发射结电流是扩散电流，集电结电流是漂移电流，所以式中用减号，与方向相同。 共基极晶体管的功能，由发射区注入电子传输到集电区所占百分比决定，称为共基极电流放大系数。 三．共射极直流放大电路 两个结，一个正偏一个反偏，三个电极。若基极接地，发射极接VEE电源负极,集电极接电源正极.若发射极接地，基极接电源正极，集电极接电源正极，因此基极电压可从集电极分压，称为共射极放大电路（但是若集电极接地，则发射极接电源负极，基极接电源负极，基极可从发射极分压，不能称为共集极放大电路）。直流放大电路为放大变化的小信号电路提供偏置电压，存在两个回路：集电极回路与基极回路（一个常量）。集电极回路，VCC正端通过电阻接集电极,集电极电流来自发射极，所以不能用线性公式得到；基极回路，VBB通过基极电阻提供一个合适的基极电流，称为固定偏流电路，称为基极偏置电阻。从。 共射极电路电流放大系数？。称为穿透电流，物理意义：当基极开路时，集电极电源作用下集电极与发射极之间形成的电流。 2.1.2 晶体管在交变电路的放大功能 在已构建的直流偏压电路放大微弱电信号。在发射极和基极之间回路（输入回路）加上一个待放大输入信号，使发射结外加电压，引起发射极电流的变化为。因此外加电压的控制作用表现为发射极电流的变化量，使组成成分的集电极电流发生相应变化，使接在集电极上的负载电阻产生一个变化的电压。 共基极放大电路的功能：输入交变信号使发射结电压微小变化，引起发射极与集电极电流很大变化，使集电极负载电阻得到很大的电压变化量，输出电流是输入电流的一部分所以它们的变化程度相同。发射结电压微小变化引起集电极电流很大变化。正向导通PN结外加正向电