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8.5 CMOS图像传感器 ;1、CMOS成像器件的结构原理 ;图像信号的输出过程可由(如图8-32所示)图像传感器阵列原理图更清楚地说明。 ;2. CMOS成像器件的像敏单元结构 ; 主动式像敏单元结构的基本电路如图8-35所示。从图可以看出,场效应管V1构成光电二极管的负载,它的栅极接在复位信号线上,当复位脉冲出现时,V1导通,光电二极管被瞬时复位;而当复位脉冲消失后,V1截止,光电二极管开始积分光信号。 ;CMOS与CCD器件的比较:
CCD摄像器件—有光照灵敏度高、噪声低、像素面积小等优点。
但CCD光敏单元阵列难与驱动电路及信号处理电路单片集成,后续信号处理比较复杂;
CCD阵列驱动脉冲复杂,需要使用相对高的工作电压,不能与深亚微米超大规模集成 (VLSI)技术兼容,制造成本比较高。;http://www.digital.idv.tw/DIGITAL/Classroom/MROH-CLASS/index-classroom-MROH.htm ;光谱灵敏度;D700 / CMOS;3、CCD传感器的应用
CCD传感器利用光敏元件的光电转换功能将透射到光敏元件上的光学图像转换为电信号“图像”,即光强的空间分布转换为与光强成比例的、大小不等的电荷包空间分布,然后经读出移位寄存器的移位功能将电信号“图像”传送,并输出放大器输出。;* ;IR Cut Filters;* ;(2)、CCD在动态测量直径中的应用CCD动态测量细丝直径的原理如图4所示。;在上述测量中,由于是用脉冲计数测量,故光源的波动对测量精度影响不大,故可达到较高的测量精度。如需要测量达到更高的分辨率,可用光学放大。;(3)、夫琅和费细丝衍射 ;单缝衍射图样的光强分布;如测量大物体,可用二块CCD,距离固定为L(如图6所示),假定CCD1的计数值为N1,CCD2的计数值为N2,则:
测量大物体也可用面阵CCD进行摄像测量,再用计算机进行数字图象处理得到处理结果。但测量精度要比用线阵CCD测量差些。;扫描仪工作原理;M2A摄影胶囊(Mouth anus),胶囊直径约为11mm,长26mm,重约4g。内部装置有CMOS传感器,4个发光二极管做光源,一个微型射频发射器、氧化银电池及天线。 每秒钟两次快门,信号发射到存储器,存储器取下后接入计算机将图像进行下载。 M2A摄影胶囊由以色列导弹专家于上世纪90年代中期研发,在欧洲大受欢迎,2001年夏天在美国上市,在美国一颗摄影胶囊要价两千美元 。全球已经有三千名病患,试用过这种胶囊。M2A可在人体内停留8个小时并拍摄约5万张照片。;日本东芝(TOSHIBA)公司线阵CCD芯片 ; 1360×1024分辨率?CCD传感器? 拍摄速率高达2亿张/秒
? 最小曝光时间?5ns~1ms?;南开大学关于采用泵浦探测技术研究飞秒激光超快烧蚀动力学过程 的研究:;用CCD拍摄到的经过不同的延迟时间铝靶面烧蚀过程: ;超高速特种CCD相机幅频已达百万幅每秒;8.6 红外热成像器件 ;2. 热释电摄像管的基本结构 ;3. 典型热像仪 ;(2)IR210高清晰度夜间红外监视探测仪 ;8.7、微光像增强器件 ;(一)、微光像增强器
1、 基本原理
光电阴极将光学图像转换为电子图像,电子光学成像系统(电极系统)将电子图像传递到荧光屏,在传递过程中增强电子能量并完成电子图像几何尺寸的缩放,荧光屏完成电光转换,即将电子图像转换为可见光图像,图像的亮度已被增强到足以引起人眼视觉,在夜间或低照度下可以直接进行观察。;;2、三代像增强器
一代管以三级级联增强技术为特征,增益高达几万倍,
但体积大,重量重;
二代管以微通道板(MCP)增强技术为特征,体积小,
重量轻,但夜视距离无明显突破;
三代管则采用GaAs光电阴极,使夜视距离提高1.5-2
倍以上。;第一代三级纤维光学耦合级联微光像增强器 ;二代薄片管——使用MCP ;MCP由上百万个紧密排列的空芯通道管组成。通道芯径
间距约12 , 长径比为40—60。通道的内壁具有较高
的二次电子发射
特性,入射到通
道的初始电子在
电场作用下使激
发出来的电子依
次倍增,从而在
输出端获得很高
的增益。MCP的
两个端面镀镍,
构成输入和输出
电极。;(二)、微光摄像CCD器件
1. 带像增强器的CCD器件;第一代红外热像仪在1 Km外拍摄的坦克图片 ;曝光4850秒
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