半导体物理2013(第八章)素材.ppt

与B-T实验相关的例题解析： 一、在一个P型半导体构成的MIS结构中，绝缘层里同时含有可动钠离子和固定表面电荷，在已知该MIS结构各组成物质的参数的前提下（绝缘层厚度、功函数、介电常数等），分析如何通过B-T实验来确定绝缘层中的可动离子电荷面密度Qm及固定表面电荷面密度Qfc？ 注意结合C-V曲线和B-T实验的计算问题。 与B-T实验相关的例题解析： 二、用N型硅单晶作为衬底制成的MOS二极管，金属铝面积为 。在150℃下进行负B-T和正B-T处理，测得其C-V特性曲线分别如图⑴和⑵。 已知： 求：⒈二氧化硅层的厚度d0； ⒉二氧化硅层中的固定 表面电荷面密度Qfc; ⒊二氧化硅层中的可动离子 电荷面密度Qm。 本章主要内容回顾 一、MIS结构在外加偏压情况下，半导体表面出现的三种不同状态的能带图； 二、多子堆积、多子耗尽和少子反型三种状态下半导体表面的QS、ES和CS的形式；强反型条件及开启电压的相关计算； 三、理想MIS结构的电容C公式及理想C-V曲线；功函数差和绝缘层电荷对MIS结构的C-V曲线的影响； 四、如何利用B-T实验的结果分析硅-二氧化硅系统中电荷的影响； 五、MIS结构的表面电场对pn结的影响。 固定表面电荷（带正电）位于