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第二章 电光信息转换 §2.2半导体激光器 §2.2.1光学谐振腔与激光器的阈值条件 §2.2.1光学谐振腔与激光器的阈值条件 §2.2.2 半导体激光器的结构  §2.2.2 半导体激光器的结构 §2.2.2 半导体激光器的结构 §2.2.2 半导体激光器的结构 §2.2.3 半导体激光器特性 §2.2.3 半导体激光器特性2 §2.2.3 半导体激光器特性2 §2.2.3 半导体激光器特性2 §2.2.3 半导体激光器特性2 §2.2.3 半导体激光器特性2 §2.2.4 LD的应用 * 上一张 章首 下一张 结束 节首 目录 * §2.2 半导体激光器 ● 2.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件 ● 2.2.2 半导体激光器的结构 ● 2.2.3 半导体激光器特性 ● 2.2.4 LD的应用 第二章 电光信息转换 §2.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件 激光器稳定工作的必要条件 : (1) 粒子数反转产生增益 (2) 提供光的反馈 : 其中最简单的是法布 里——珀罗腔 图2.2.1-1 激光二极管的谐振腔 注入电流 有源区 解理面 解理面 L 增益介质 R1 R2 z=0 z=L 只有当增益等于或大于总损耗时，才能建立起稳定的振荡，这一增益称为阈值增益。为达到阈值增益所要求的注入电流称为阈值电流。 一个纵模只有在其增益大于或等于损耗时，才能成为工作模式，即在该频率上形成激光输出。 有2个以上纵模激振的激光器，称为多纵模激光器。通过在光腔中加入色散元件或采用外腔反馈等方法，可以使激光器只有一个模式激振，这样的激光器称为单纵模激光器。 §2.2.2 半导体激光器的结构 最简单的半导体激光器由一个薄有源层（厚度约0.1μm）、P型和N型限制层构成，如图2.2.2-1所示。 图2.2.2-1 大面积半导体激光器 解理面 金属接触 电流 有源层 P型 N型 300μm 100μm 200μm 这样的激光器面积大，称为大面积激光器。为解决侧向辐射和光限制问题，实际的激光器采用了增益导引型和折射率导引型结构。 一、增益导引型半导体激光器 解决光限制问题的一种简单方案是将注入电流限制在一个窄条里，这样的激光器称为条形半导体激光器，其结构如图2.2.2-2所示。将一绝缘层介质(SiO2)淀积在P层上，中间敞开以注入电流。由于光限制是借助中间条形区的增益来实现的，这样的激光器称为增益导引型半导体激光器。 图2.2.2-2 增益导引型半导体激光器 二、 折射率导引型半导体激光器 通过在侧向采用类似异质结的设计而形成的波导，引入折射率差，也可以解决在侧向的光限制问题， P-InP InGaAsP N-InP N+-InP衬底 P-InGaAsP 绝缘介质 这种激光器称为折射率导引型半导体激光器。 图2.2.2-3 折射率导引型半导体激光器 P-InP InGaAsP有源层 N-InP N+-InP衬底 接点 SiO2 SiO2 §2.2.3 半导体激光器特性 一、光谱特性 图2.2.3-1为GaAIAs双异质结激光器的光谱特性。 832 830 828 826 824 832 830 828 826 824 832 830 828 826 824 驱动电流增大 → → 图2.2.3-1 GaAIAs双异质结激光器的光谱特性示意图 波长取决于激光器的光学腔长，称为激光器的纵模 当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模，称为当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模，称为静态单纵模激光器。 二、激光束的空间分布 近场是指激光器反射镜面上的光强分布，远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。由于激光腔为矩形光波导结构，因此近场分布表征其横模特性，在平行于结平面的方向，光强呈现周期性的空间分布，称为多横模；在垂直于结平面的方向，由于谐振腔很薄，这个方向的场图总是单横模。 图2.2.3-2为典型LD的远场辐射特性