Plasma Enhanced materials processing and rarefied 等离子体材料处理和稀薄.pptVIP

Copyright 2002-2008 PEGASUS Software Inc., All rights reserved. 第19回プラズマエレクトロニクス講習会 「プラズマプロセスの基礎と応用最前線」‐多様化するプラズマ応用プロセスとその制御‐プラズマシミュレーション技術 ペガサスソフトウェア株式会社 田中正明 　　　　　　　　　　　　　　　目　次 1.　はじめに 2.　プラズマシミュレーションに用いられる計算方法 2.1　PIC/MCC法 2.2　DSMC法 2.3　ドリフトー拡散モデル 2.4　緩和連続モデル 2.5　ハイブリッドモデル 2.6　ICP装置における誘導電界 2.7　中性粒子シミュレーションとのカップリング 3.　気相シミュレーションの計算例 3.1　対向ターゲットマグネトロンスパッタ装置 3.2　ドライエッチング装置のシミュレーション 3.3　大気圧沿面放電シミュレーション 4.　形状シミュレーションに用いられる計算方法 5.　形状シミュレーションの計算例 Ar/Cl2プラズマによるPoly-Si　エッチングシミュレーション ボッシュプロセスによるSi　エッチングシミュレーション 　　　　　　　　　1.　はじめに 2.　プラズマシミュレーションに用いられる計算手法 　　　　　　　　　　粒　子　モ　デ　ル 　　　　　　　　　　　　流　体　モ　デ　ル 　　　　3.　気相シミュレーションの計算例 3.1　対向ターゲットマグネトロンスパッタ装置 粒子モデル PIC/MCC DSMC 3.2　ドライエッチング装置のシミュレーション ハイブリッドモデル ＋ ＤＳＭＣ ＜電子衝突断面積＞ e-+Cl : 弾性、非弾性（励起、電離）等３種 e-+Cl2 : 弾性、非弾性（励起、電離、解離、解離性付着）等６種 ＜反応レート定数＞ Cl- + Cl2+ →　３Cl　 　　 Cl- + Cl+ →　Cl２ Cl+ + Cl2 → Cl2+ + Cl 3.3　大気圧沿面放電シミュレーション 流体モデル 4.　形状ミュレーションに用いられる計算手法 　　　　5.　形状シミュレーションの計算例 Ar/Cl2プラズマによる Poly-Si　エッチング ボッシュプロセスによるSi　エッチング 78 174 r z 100 250 385 121 ICPパワー：500[W] 　　　　　　　 13.56[MHz] Ｃｌ２流量　 ：50[sccm] 15 Ｃｌ２ RF 解析モデル 反応式 EEDF （電子エネルギー 分布関数） × × コイルパワー吸収分布、誘導電界強度分布、 電子エネルギー分布関数 電子に関する物理量、電位分布 Cl-、Cl+密度分布、　 Cl-、Cl+生成率分布 Cl2+密度、生成率分布、 Cl2、 Cl分布 解析対象 図のような2次元体系で、電極間距離 d (0.5mm ～5mm)、 誘電体厚み h (0.3mm,2mm)と放電開始電圧V の 関係を調べる。 誘電体　比誘電率εr=3.0 陰極 陽極 窒素　1 [atm], 300 [K] plasma 1 1 d 0.3 0.3 h 仮想境界 仮想境界 仮想境界 印加電圧 　　 V[V] 1 d 0.3 h 誘電体 εr=3 N2 1[atm], 300[K] 陰極（接地） 陽極：電圧V 解析モデル形状 単位：[mm] 1 1 ?ガス条件　：　窒素　　圧力 1 [atm]、　温度　300 [K] ?粒子種　：　N2、N、N2*（励起種）、e-、N2+ ?考慮した衝突反応　：　 　　e- + N2 ? e- + N2 （弾性衝突） e- + N2 ? 2e- + N2+ （電離） e- + N2 ? e- + 2N （解離） e- + N2 ? e- + N2* （振動励起） e- + N2 ? e- + N2* （回転励起） 　　ガス圧および温度は一様かつ一定と仮定する。 ガス条件 ?静電ポテンシャルに関する境界条件 　[陰極] φ= 0 [V] 　[陽極] φ= V [V] （V の値を変化） [誘電体の下面] φ= 0 [V] （一部遠方接地） [仮想境界] 当該境界面に垂直な方向に 100 [mm] 離れた場所でφ= 0 [V] に規定（遠方接地） ?電子フラックスに関する境界条件 　 Γe ? n= (1/4) vT ne - γ Γi?n 　　　n は外向き単位法線ベクトル、vT = √(8eTe/πme)、 γはイオン衝撃による２次電子放出係数。 　　　誘電体および電極表面ではγ