1mm+SiC多指栅微波功率器件研究.pdfVIP

2005年1 1月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 卜mm S iC多指栅微波功率器件研究 陈刚钱伟陈斌柏松 (南京电子器件研究所，210016) 摘要：报告了4H—SiC MESFET lmm多栅器件的研制。通过对SiC关键工艺技术进行研 究，设计出初步可行的工艺流程，并且制造出单栅宽lOOum，总栅宽lmm，栅长0．8um的n 沟道4H—SiC MESFET，其微波特性测试结果：在2GHz、Vds=30V时，最大输出功率为1．14W， 相应增益为4．58dB，功率附加效率为19％，漏极效率为28．7％。 关键词：4H碳化硅；金属半导体场效应管；微波；宽禁带半导体 中图分类号：TN386．3；TN304．2+4 A study of 1-mm SiC multi—finger gate microwave power device Chen Gang，Qian Wei，Chen Bin，and Bai Song (Nanjing Electronic Devices Institute，210016，China) Abstract：In this paper we report our research on 1一mm multi—finger gate 4H—SiC metal—semiconductor field-effect transistors(MESFETs)．We designed our own device process to fabricate n—channel 4H—SiC MESFETs with lOOum single gate．1一mm total gate periphery，0．8um gate length．The RF characteristics are studied．At fo----2GHz，Vd。=30V，the maximum output power iS measured to be 1．14W，with a gain of 4．58dB．and power added efficiency 19％，drain efficiency 28．7％． Key words：4H—SiC：MESFET：microwave：wide band semiconductor EEACC： 2560S，2520M 1 引 言 碳化硅(SiC)材料因禁带宽度大、击穿电场高(达到4X 106V／cm以上)、热导率大 (4．9W／am一。K)、电子饱和漂移速度高(2×107cm／s)、热稳定性和化学稳定性好等特点u。， 成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料，在通信、汽 车、航空、航天、石油开采等方面有着广泛的应用前景。SiC器件是最有希望的第三代半 导体器件。 作为全新的研究领域，SiC从材料到器件制造技术都还很不成熟，有大量的基础问题 需要研究解决。本文主要探索SiC MESFET器件的制作工艺技术，并且成功研制出具有一定 微波功率特性的lmm多指栅SiC MESFET器件。 SiC RF MESFET属于横向(水平)器件，其源和漏接触位于晶片顶层(图1)。典型的 源、漏欧姆接触位于n+外延层上以减少接触电阻，轻掺杂(1 X 1017／am3)n型沟道区将其 分开位于栅极两侧。沟道中多数载流子从源流向漏，并受控于加负偏置的栅电极。典型的 器件隔离方法是在导电衬底上实现P一缓冲层。最近人们采用半绝缘或高阻衬底代替p一缓 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 冲层以降低压点电容，从而提高器件的截止频率。 2 实验 我们实验使用半绝缘衬底4H—SiC三层 外延材料旧。，Si面，p一缓冲层厚度0．2um，掺 杂浓度为2×1015Q cm2，n型沟道层厚度 0．4um，掺杂浓度为2×10?7Q cm2，n+外延层 厚度0．2um，掺杂浓度为2×1019Qcm2。选用 的SiC材料的一个重要设计在于采用了相对 高掺杂相对薄(0．2um)的p一缓冲层，这层p一 缓冲层减小了器件的输出电导。当漏极加偏 压时，p一缓冲层／沟道层界面形成一个反向偏 圉1 J电|SiC髓sFET箭面 置的pn结，缓冲层在器件漏极下耗尽，因而 在缓冲层中形成一薄层充满负电荷的耗尽区，这层耗尽区对电子产生抵御作用，从而使电 子被限制在n型沟道层中旧。。SiC MESFET采用100um栅宽的单根栅条，总栅宽lmm，栅长 为0．8um，栅源间距和栅漏间距分别为0．8um和1．6um。 制造SiC MESFET的工艺途径是：台面生成、平整化、电子束蒸发Ni、剥离生成源漏 欧姆接触区、快速退火、干法刻蚀挖槽、蒸发多层金属形成肖特基接触、金属化、电镀、 反