1mm栅宽SiC+MESFET微波功率器件研究.pdfVIP

1咖栅宽SiC MESFET微波功率器件研究 陈刚张震柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉黄念宁陈辰李拂晓邵凯 单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京电子器件研究所．江苏210016，emi I： 。 steelchg@63。com 摘要：报告了采用国产SiC外延片的4H—siC MESFET 1衄多栅器件的最新研制进展。我们 制造出单栅宽lOOum，总栅宽lmm，栅长0．Sum的n沟道4ll--SiC MESFET，其微波特性测试 结果：在2GHz频率下，漏端电压Vds=64V时，最大输出功率为4．09W(36．12dBm)，相应增 益为9．30dB，功率附加效率PAE为31．3％，漏极效率n为35．5％。 ． 关键词：4H碳化硅；金属半导体场效应管；微波；宽禁带半导体 l 引言 碳化硅(Sic)材料因禁带宽度大、击穿电场高(达到4×106、／／cm以上)、热导率大 (4．9W／cm．。K)、f乜子饱和漂移速度高(2×107cmls)、热稳定性和化学稳定性好等特点川， 成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料，在通信、汽车、 航空、航天、石油开采等方面有着广泛的应用前景。SiC器件是最有希望的第三代半导体器 件。 作为全新的研究领域，SiC从材料到器件制造技术都还很不成熟，有大量的基础问题需 要研究解决。本文主要探索改进SiC娅sFET器件的制作工艺技术，并且成功研制出具有相 当微波功率特性的lmm多指栅SiC MESFET器件。 ， SiCRFMESFET属于横向(水平)器件，其源和漏接触位于品片顶层(图1)。典型的源、 漏欧姆接触位于n+夕卜延层上以减少接触电阻。轻掺杂(2X 10¨／cm3)n型沟道区将其分开位 于栅极两侧。沟道中多数载流子从源流向漏，并受控于加负偏置的栅电极。典型的器件隔离 方法是在导电衬底上实现P一缓冲层。我们采用的是半绝缘衬底的国产SiC三层外延片。 欧姆按触 肖特基掘 圉1典型SiC NESFET翻面 2 实验 2．1 材料结构和器件结构设计 我们实验使用国产半绝缘衬底4H—SiC三层外延材料乜1，Si面，p‘缓冲层厚度0．4um， 掺杂浓度为5X 1015 cm-3，n型沟道层厚度0．4um，掺杂浓度为2×10¨cm-3，n+外延层厚度0．2um， 掺杂浓度为2×1019cm-3。选用的SiC材料的一个重要设计在于采用了相对高掺杂相对薄 (O．2um)的p一缓冲层，这层p一缓冲层减小了器件的输出电导。当漏极加偏压时，p。缓冲层／ 沟道层界面形成一个反向偏置的pn结，缓冲层在器件漏极下耗尽，因而在缓冲层中形成一 薄层充满负电荷的耗尽区，这层耗尽区对电子产生抵御作用，从而使电子被限制在n型沟道 337 层中嵋’。SiC MESFET采用lOOum栅宽的单根栅条，总栅宽lmm，栅长为0．Sum，栅源问距和 栅漏问距分别为0．8urn和1．6um。 2．2 工艺实现途径 制造SiC MESFET的工艺途径是：台面生成、平整化、电子束蒸发Ni、剥离生成源漏欧 姆接触区、快速退火、干法刻蚀挖槽、蒸发多层金属形成肖特基接触、金属化、电镀、反刻、 划片、装架∞1。我们采用Ni作为SiC上的欧姆接触金属¨’引，在1000’C下通过氮气保护快速 退火lO分钟形成良好欧姆接触后，再蒸发、电镀覆盖一层厚金，金覆盖层可以提高Ni与SiC 合金退火后的薄层电导率，同时也改善了表面形貌，很好的提高了后面装架时的金丝与压焊 点之问的接触；更重要的是可以避免接触电阻的退化。挖槽工艺我们采用感应耦合等离子体 (ICP)干法刻蚀方法，刻蚀后镜检可以看到挖槽完成后的SiC槽底粗糙不平，这对于Ti／SiC 肖特基接触特性来说有很大影响，工艺需要进一步改进。栅条光刻使用的是KarlSuss的JB3 手动光刻机，精度能达到0．5um。由于通过金属化可以进一步减小电阻，我们采用选择电镀 的方法将金层加厚到2um甚至更厚，从而减小压焊金丝时接触电阻对微波功率测试的影响。 多指栅SiC MESFET器件的各源指、漏指的互连通过空气桥来形成。最终的SiC MESFET经过 钝化处理。经过划片后，挑出直流性能良好的管芯进行装架，最终封装在管壳中的lmm SiC MESFET器件制备完成，可以进行各种直流、微波、高温、可靠性等测试。 。 3 结果和讨论 3．1欧姆接触特性 在SiC上蒸发Ni后用高倍光学显微镜观察，表面十分光滑，经过快速退火后，表面变 成颗粒状结构，同时图形边界出现毛刺，这对于后面的挖槽和栅的形成有一定影响。我们通 过对电子束蒸发Ni金属层厚度和快速退火温度与时问进行优化，发现可以找到合适的条件 得到基本理想的结果，既能使Ni与SiC充分进行反应形成良好的欧姆接触，又能保持Ni金 属表面的光滑。高温快速退火是在氮气保护