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2005年10月 第42卷增刊2 四川大学学报(自然科学版) Journal of Sichuan University(Natural Science Edition) Oct．2005 V01．42 Issue 2 文章编号：0490．6756(2005)0r2—0379-04 (1一X)PST—xPZT弛豫铁电陶瓷阻抗谱的研究 蓝德均，陈 异，陈 强，乐 夕，肖定全，朱建国。 (mt]ll大学材料科学系。成都610064) 摘要：将具有良好热释电性的PbCSco,5Tao 5)03(PST)与Pb(Zro女风-聃)03(Pzr)复合，制备 出了具有钙钛矿结构的(1一z)PSr．xPZT(PSTZT)驰豫铁电陶瓷．对极化后的PSTZT样品 进行了小信号交流阻抗谱铡试，发现Ps∞『r的交流阻抗谱主要由压电振子谐振圆和部分陶 瓷晶粒晶界圆组成．从前者获得了Psn丌全部压电陶瓷参敷，从后者推出了晶粒是电阻塞产 生的主要原因． 关键词：PSn丌；阻抗谱；晶粒 中图分类号：0484 文献标识码：A 1引言 目前，交流阻抗谱法已经成为分析陶瓷等多晶材料电性能特征的重要手段[1]．它不仅可以分析和归 纳出陶瓷的等效电路，区分晶粒、晶界及电极界面电学性能的不同影响，而且可以就晶粒、晶界及电极界面 对材料整体电性能的具体贡献进行定量解析【2j．将其应用于极化的铁电陶瓷及器件，不仅可以分析上述 多晶材料的一般性能，还能获得很多压电方面的性能旧．4j． Pb(Sc0 5Ta0)03(肿)拥有非常优秀的热释电性能拍J，但其居里点在室温附近，极大地限制了,5 PST 的应用范围．将其与PbTi03和Pb矗Q进行复合形成三元固溶的单相钙钛矿相陶瓷，虽然降低了其特异 的热释电性能，但能提高其居里点并可以攘宽准同型相界(MPB)。从而能对陶瓷各性能更好地进行综合 优化控制．我们通过交流阻抗谱法，尝试对(1一z)Pb(Sco 5Tao．5)．xPb(Zr0．52R 48)03(以下简称PSTZT) 铁电陶瓷的制备工艺及其微结构对PSTZT的铁电压电性能的影响进行研究． 2实验 按传统电子陶瓷制备工艺制备了PSTZT陶瓷，具体工艺可以参见文[6]．制备好的样品经表面平整 打磨处理并清洗后，在小型离子溅射仪上溅射银电极．在低于居里点约20--30℃温度下于硅油中以4--5 kV／mm进行30min的极化．极化后样品老化一天后用PVA70交流阻抗分析仪进行阻抗(导纳)分析，仪 器由计算机控制并采集数据． 3实验结果及讨论 ’ 3．1 PSTZT铁电陶瓷压电谐振导纳圆的解析 在1kHz．700k}k的频率范围内对(1一z)Psr．zzr样品的阻抗谱进行了测试，得到了Ps髓『r陶瓷的 压电谐振阻抗圆和晶粒晶界半圆的一部分，如图1所示． 收稿日期：2005．08—20 基金项目：国家自然科学基金和教育部博士点基金(20020610014) 作者简介：蓝德均(1975一)，男．博士研究生．师承朱建国教授，主要从事铁电压电陶瓷研究 *通讯作者，E-mail：nit0400@∞】．edu．m． 380 四川大学学报(自然科学版) 第42卷 当陶瓷材料内部微组织比较均匀时，由阻抗谱分析所得到的导纳圆是一个规蹩的圆，由此计算得到的材料 参数也才准确．图2和3正是由此计算得到的压电材料的两个重要参数：机械品质因数Q。和平面机电耦 合系数k． a — k 田1士=0．5并于1350℃烧蛄的PSn可样品的阻抗谱(右因为其谐振圃放大) Fig，1|mpedence specu,3so∞y ofPSr／r sintemd atl350％]and￡=O．5Cr删ed r(±souBnce cycteinthe dght dis錾am) pzt(mole fraction)Dopant of PZT(molc fraction) 图2 PSrZT样品的机电品质因数(k 田3 PSlzr样品的平面机电耦合系数h Fig·2瓯of哪rHn咖 №．3 b ofPsr砑Ⅻlpl∞ 陶瓷材料的微组织形态与其制备工艺及样品处理 过程中的许多因素有关，烧结温度只是其中的一种．因 此，与材料的微结构密切相关的品质因数Qk与烧结 温度的相关性不是很大，表明它不是影响该材料参数 的一个主要原因．而平面机电耦合系数则呈现出了较 好的规律性：H玎量越多则女。越大，烧结温度提高也 有助于^。的改善． 3．2晶粒晶界阻抗半圆的讨论 根据阻抗谱模型【2,53，阻抗谱中铁电陶瓷谐振阻抗 圆外的谱线部分为陶瓷晶粒晶界半圆的一部分，如图4 所示，因此，按照圆方程通式(R—n)2+(x一6)2=c2 将这部分谱线拟合成圆的第四象限部分．如图5所示． 童 o × ‘崔披 厂、 R(ohm)一≮∥一 ＼ ／ 田4