1xPSTxPZT弛豫铁电陶瓷的介电与压电性能研究.pdfVIP

2005年10月 第42卷增刊2 四川大学学报(自然科学版) Journal of Siehuan University(Natural Science Edition) Oct．2005 VoI．42 Issue 2 文章编号：0490—6756(2005)z2．0397—04 (1一z)PST—xPZT弛豫铁电陶瓷 的介电与压电性能研究 覃宝全，蓝德均，乐夕，肖定全，朱建国。 (四川大学材料科学与工程学院，成都610064) 摘要：以普通氧化物烧鲒方法(一步法)和先驱体法(两步法)，在1200℃～1350℃的温度下，制 备了(1一z)Pb(sco．5Tao 5)03一。Pb(Zro 52Tio 48)03(以下简称PSir2T)弛豫铁电陶瓷实验发 现在所有掺杂成分中，各种烧结温度都得到了钙钛矿舍量很高(几乎100％)的PSR玎陶瓷样 品．SEM分析表明，PSH强陶瓷晶体颗粒饱满、晶界明显，形状比较有规则；从介电性能和压 电性能分析可以看出，两种工艺制备的P蜘rZT陶瓷样品的电学性能没有明显的区别． 关键词：PSTZT；弛豫铁电陶瓷；钙钛矿相 中图分类号：0484 文献标识码：A 钽钪酸铅Pb(Tao ssc0 5)03(以下简称为PST)是研究十分广泛的A(B0 5’Bo 5”)03式复合钙钛矿弛豫 铁电陶瓷当B位离子化学有序时，PSI是一种正常的铁电体，而当B位离子呈现无序分布时，则为一种 弛豫型铁电体，展现出较宽的介电温度峰．PsT具有高的室温介电常数(e一≈25000)．大的电致伸缩效 应，优良的热释电性能(其峰值热释电系数高达230×10-8C“cm2-K))，是制造高性能非制冷红外焦平面 阵列的潜在的重要材料?．但由于PST的居里点在室温附近，极大地限制了PSr的应用范围将PsT与 PhTi03和PhZx03进行复合形成三元固溶的钙钛矿相陶瓷，虽然降低了PSI热释电性能，但可以提高其 居里点并可以拓宽准同型相界(MPB)从而能对陶瓷各性能更好的进行综台优化控制[2·?．我们通过采用 不同的制备工艺制备了(1一x)Pb(Sc0 5T劬5)一xPb(Zr0 52Ti 48)03(以下简称PSIZT)铁电陶瓷，研究了 不同制备工艺对PSTZT的介电、压电性能的影响关系． 1实验 铁电弛豫陶瓷材料的制备方法，一般分为先驱体法(或简称两步法)和氧化物合成法(或简称一步法)． 两步法适于制备B位复合钙钛矿(如Pb(B1132)哂)陶瓷【2 J，即将B位氧化物首先合成称为先驱体的复合氧 化物；然后，将先驱体氧化物与PbO发生固相反应制得钙钛矿材料．一步法是由合成陶瓷所需的各氧化 物直接合成，无需中间相的预合成，因此工艺简单，便于规模化推广． 我们采用的工艺是：对于一步法，将高纯试剂S0203，Ta20s，PbO，TiOz，ZrCh等按照化学计量比进行 称量，以无水乙醇为介质研磨2h后在900℃下预合成2h．得到的预台成粉经过研磨，加入过量10％的 PbO粉体，混匀并加入PVA造粒压成直径10mm厚约lmm的胚片．将胚片于450℃下排胶2h后升温至 设定的烧结温度，并以Pb(Zro．52Ti0．48)03补偿烧结过程中铅的挥发，再保温4h后随炉冷却． 对于两步法，将高纯试剂SC203和Ta205的混合物以无水乙醇为介质研磨2h后在1500℃下预合成 收稿日期：2005．09—20 基金项目：国家自然科学基金和教育部博士点基金(20020610014) 作者简介：覃宝全(1983一)，广西宾阳县人，硕士研究生，主要从事弛豫铁电陶瓷的研究 *通讯联系人．E-mail：nit0400@scu．edu cn 398 四川大学学报(自然科学版) 第42卷 2h得到的预合成粉与其它陶瓷氧化物组分(锆钛比控制为52／48，PbO过量10％)混匀并加入PVA造粒 压成直径lOmm厚约lmm的胚片将胚片于450。CTti!E胶2h后升温至设定的烧结温度，并以PB(Zr0 52 Tio 48)03补偿烧结过程中铅的挥发，再保温4h后随炉冷却．PSTZT陶瓷的详细制备工艺可以参考文 f6] 利用XRD分析了PSTZT铁电弛豫陶瓷的结晶性能，利用SEM观察了PSTZT陶瓷样品表面形貌和 晶粒大小．为测试PSTZT样品的电学性能，将制备好的PSTZT样品经表面平整打磨处理并清洗后，在小 型离子溅射仪上溅射银电极．在低于居里点约20～30*(2温度下于硅油中以4--5 kV／mm进行30mi。的 极化．极化后样品老化ld后利用TH2816型宽频LCR数字电桥测试其介电性能用ZK一2准静态压电常 数仪测试其压电常数d。 2结果与讨论 2．1 XRD分析 分别对两种制备工艺，在烧结温度为1200(2下，烧结时间为2h的PSTZT陶瓷样品的X