1xPbSc05Ta05O3xPbTiO3弛豫铁电陶瓷介电和压电性能的研究.pdfVIP

2005年10月 第42卷增刊2 四川大学学报(自然科学版) Journal of Sichuan University(Natural Science Edition) Oct．2005 VoI．42 Is,Ⅲe 2 文章编号：0490—6756(2005)0224)383-04 (1一X)Pb(Sc0．5Tao．5)03-xPbTi03弛豫铁 电陶瓷介电和压电性能的研究 石 维1一，陈林1，蓝德均1，乐 夕1，肖定全1，朱建国1t’ (1．四川大学材料科学与工程学院。成都610064；2．贵州铜仁师范专科学校．贵州铜仁554300) 摘要：采用氧化物混舍烧蛄法，在烧蛄温度为1250C的条件下，制备了(1一z)Pb(sco,sTao．5) 03，xPbTi03弛豫铰电陶瓷，并对其压电性能和介电性能进行了研究．发现在z=0．45时，(1 一z)vb(sco．s‰5)03一z升)Ti03弛象铁电陶瓷体系具有较好的压电性能和介电性能，实验结 果表明谊体系的准同型相界应谊在z=0．45附近． 关键词：PST； 弛豫铁电陶瓷；压电性能 中图分类号：0482文献标识码：A 1前富 弛豫型铁电陶瓷是近年来广泛研究和迅速发展的一种非常重要的新型功能陶瓷材料．它具有较高的 介电常数、无剩余极化、理论上无滞后、元老化、响应快、回零性好、驱动功率小、热稳定性好、低膨胀等优 点，是制造多层陶瓷电容器、微位移器驱动器、致动器、电光与记忆器件的理想材料，在集成电路、自动控 制、超微细技术、微机器人、以及超声等方面也有广阔的应用前景【lJ．目前，国内外研究和应用较多的弛豫 铁电陶瓷材料是B位复合的铅系钙钛矿结构的Pb(BL，如)03体系．性能优良的Pb(Bl，B2)a3系陶瓷材料 不但受到工程界、科学家的广泛重视，由于在微观纳米线度上的结构和组成的复杂关系，从而也引起了理 论学家的广泛关注【2J．对Pb(B182)03系陶瓷材料进行掺杂改性，特别是用PbTi03进行复合，可以制备出 性能更加优越的复合钙钛矿结构陶瓷材料体系，如(1一z)r,b(Mg,／3Nb2／3)03．xPbTi03(以下简称Phl． NT)，(1一z)Pb(Znt，3Nb2／3)03．xPbTi03(以下简称PZNT)，(1一z)Pb(Sc0．5Tao 5)Q—xPbTi03(以下简 称PSlvr)等[30】．美国宾州大学的Giniewicz等人的研究工作表明PSl-r材料体系在掺人PT为0，40--0． 45时存在准同型相界(MPB)t5q】，在这一组成处存在着增强的介电性能(介电常数钾≈．30000)tsl和显著 的压电效应(压电常数峰值d33=65[ipc／N，机电耦合系数b=0、6D[”．Giniewiez等人是利用先驱法或两 步法制备ix3vr陶瓷的，即先将Sez03，Ta205合成先驱体ScTa04，然后再与PbO，Ti02等混合烧结成 Pslvr陶瓷．但也有研究证明【9J，采用氧化物混合烧结法或简称一步法，即将各组成氧化物直接合成P羽-r 而不需先驱体ScTa04的合成，在850℃预烧2h，并在1250C左右烧结9h也可以获得纯钙钛矿相的P田-r 铁电陶瓷我们参照一步合成法，简化工艺路线。缩短烧结时间，在烧结温度为1250℃的条件下制备了 rsrT(30)。esrr(40)，P田汀(45)，eSTT(50)，PSTT(55)，vsrr(60)等组分的弛豫铁电陶瓷．研究了制备 工艺对PSlvr的介电性能和压电性能的影响． 收穰日期：2005．凹．15 基金项目：国家自然科学基金和教育部博士点基金(20020610014) 作者简介：石维(1975一)，男。贵州锕仁人，硬士研究生，师承朱建国教授。主要从事铰电压电陶瓷研究 *通讯作者，E-mail：nle0400@seu edu．∞． 四川大学学报(自然科学版) 第42卷 2实验步骤 试验所制样品的基本结构组分是：(1一z)eb(s咖5‰．5)03一xPbTi03，其中z分别为0．3，0．4，0．45， 0．50，0．55，0．60． 将原料Ti02(99．00％)，PBO(99．00％)，Ta20s(99．99％)和Sc203(99．99％)按设计组分称量，以酒精 为介质进行湿磨．湿磨后的原料经干燥，压成圆饼状，在850(2保温2h进行预合成．把预合成的熟料磨细． 按质量比3％加入8％的PVA进行造粒，在20MPa左右将原料压成厚度d=lmm，直径西=10ram左右 的坯体试片．将坯体试片重叠放在铺有同成分的熟料粉末的承烧板上，用坩埚密封，在480℃进行2h排 胶，然后升温致1250(2，在空气中烧结成瓷，保温时间均为2h．对样品两面抛光后用中国科学院北京科学 仪器研制中心KYKYRSBC-12离子溅射