Ge注入对SOI+MOSFET抗辐射加固作用的模拟分析.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 Ge注入对SOI MOSFET抗辐射 加固作用的模拟分析 李瑞贞 韩郑生 (中国科学院微电子研究所，北京100029) MOSFET抗辐射加固是 摘要：注入SOI硅膜中的Ge可以起到复合中心的作用，这对SOI 有利的。本文模拟结果表明，Ge注入可以提高SOI器件抗SEU和剂量率辐射的能力，并提 高器件的击穿电压。 关键词：SOI，抗辐射加固，寿命控制 1． 引言l SOI又称为绝缘体上的硅u1，在军事及商业方面的应用十分广泛，正逐步取代体硅成 Athlon64、 为下一代CMOS主流技术。目前，AMD公司面向桌面、网络、移动发布的AMD AMD 64 Turion Athlon 64和AMD FX、／6f1)Opteron、AMD Sempron系列处理器已经采用 了90nm制程的SOI工艺。由于埋氧层的隔离作用，SOI器件具有天然优良的抗单粒子翻转 和瞬态辐射的功能，但同时也带来了一些不利的影响，如kink效应、寄生双极集体管效 应等，这些会消弱SOI器件的抗辐射能力。 目前已有许多SOI器件的抗辐射加固技术悟41。寿命控制技术又称为寿命工程，是指通 过扩金、扩铂、电子辐照等在半导体器件中引入分布适当的复合中心，以降低器件中过剩 载流子寿命，这种技术常用于高压功率器件中以提高器件的开关速度。H．F．Wei惦1在1993 年报道了通过在全耗尽SOI器件沟道区域进行Ge注入后取得了击穿电压和关态漏电性能 方面的提高，1994年报道了Ge注入后器件在抗辐射加固性能方面的提高旧。。本文以模拟 的方法研究了Ge注入对部分耗尽SOI器件抗辐射性能的影响，得到了有价值的结果，对 SOI器件抗辐射加固有理论指导意义。 2． 模拟结果和讨论 图1．PDSOI器件结构示意图 模拟中采用的器件结构如图1所示，栅氧厚度为20nm，硅膜厚度为400nm，埋氧层厚 度为400nm，栅长为lu 了辐射模块(单粒子和剂量率)．可以方便的模拟SOI器件的抗辐射性能。MEDICI中的SRH 复合模型可以表示为： 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 U 2 p咒一行： sRH 其中T。、T。为别为电子和空穴的少子寿命。通过公式(1)可以发现少子寿命越小，SRH 复合率就越大。Ge注入可以在生长场氧之后、生长栅氧之前进行，注入硅中的Ge充当了 少子寿命杀手的角色。本文中没有注入Ge的硅膜中少子寿命采用MEDICI的默认值lOOns， 注入Ge的硅膜中少子寿命为10ns。 (^)e拿晕；uI霉o lu_善一乍e§昼；os 000E+000P-00E-0094．00E-009矗∞E堋 Tim“S) 图2．Ge注入对PDSOI器件抗SEU能力的影响图3．剂量率辐射时源电流随时间的变化 图2给出了PDSOIMOSFET单粒子事件