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三、导通和关断的条件 1. 导通条件： 三、导通和关断的条件 注：1）只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段； 2）光触发是专门设计的，可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中 三、导通和关断的条件 （1）UA=0(去掉阳极电压） （2） UA0(阳极加反压） （3）使流过晶闸管的电流小于维持电流 1.3.2 晶闸管的基本特性 1. 静态特性(Static characteristics) 2) 反向特性 晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。 晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增加，导致晶闸管发热损坏。 2. 动态特性(Switching characteristics of thyristor) 1.3.3 晶闸管的主要参数 1. 电压定额 1.3.3 晶闸管的主要参数 注：通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。 1)??通态平均电流 IT(AV) （Average on-state current） 晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 2)? 维持电流 IH （Holding current ） 使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安，与结温有关。结温越高，则IH越小。 1.3.3 晶闸管的主要参数 3. 动态参数 1.4 典型全控型器件 1.4.1 门极可关断晶闸管 1.4.2 电力晶体管 1.4.3 电力场效应晶体管 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 1. GTR的结构和工作原理 2. GTR的基本特性 (1)? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、 放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区 (2)? 动态特性 (2)? 动态特性 开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 td主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。增大ib的幅值并增大dib/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程 。 (2)? 动态特性 关断过程 储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff 。 ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。 减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度。 负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加，从而增大通态损耗。 3. GTR的主要参数 1)??最高工作电压 2)?集电极最大允许电流IcM 3) 集电极最大耗散功率PcM 4. GTR的二次击穿现象与安全工作区 一次击穿(primary breakdown) 集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿。 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 安全工作区（Safe Operating Area——SOA）最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定 1.4.3 电力场效应晶体管Power metal-oxide -semiconductor field effect transistor—Power MOSFET  1.4.3 电力场效应晶体管 正向的阳极电压，正向门极触发电流IG 其他几种可能导通的情况 Other methods to trigger thyristor on 1)阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应； 2)阳极电压上升率du/dt过高； 3)结温较高； 4)光直接照射硅片，即光触发——光控晶闸管 三、导通和关断的条件 2 关断条件（下列条件之一）： 晶闸管正常工作时的特性如下： 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 晶闸管的伏安特性 Ub0转折电压 IH维持电流 IG=0时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。 晶闸管