金属诱导单一方向横向晶化和固体倍频激光退火技术在多晶硅薄膜晶体管中的应用.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 金属诱导单一方向横向晶化和固体倍频激 光退火技术在多晶硅薄膜晶体管中的应用 孟志国 吴春亚熊绍珍 南开大学信息学院光电子所天津300071 王文郭海成 香港科技大学电机电子工程系，清水湾，九龙，香港 摘要：本文对金属诱导单一方向横向晶化(MIUC)与不同能量脉冲的三倍频固体激光退 火技术结合，提高多晶硅薄膜晶体管性能，进行了深入的探讨和研究。MIUC薄膜晶体管 具有良好的器件性能和均匀性，该薄膜晶体管在优化的激光能量下退火，可以使得场效 应迁移率增加近一倍。器件的多种性能和参数的均匀性与激光退火条件密切相关，并成 规律性变化。 l、引言 随着平板显示技术的发展，和人们对显示器质量要求的提高，有源选址基板技术已经 广泛地应用于高质量平板显示器中u。。高密度、全集成、大面积化和低功耗已成为显示器 市场的追求目标。其中，非晶硅和多晶硅薄膜晶体管为有源选址基板制备中的最广泛应 用的技术，如用TFT-LCD和TFT-OLED来制备平板电视、计算机显示器、移动手机屏等。 比较非晶硅和多晶硅薄膜晶体管技术，非晶硅薄膜晶体管有易于大面积化和制程简单的 优点，但是，由于非晶硅薄膜晶体管的场效应迁移率很低，在制备全集成和低功耗有源 基板上受到一定限制。多晶硅薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管相比，场效应迁移率较高 的，具有制备全集成和低功耗的有源基板的潜力。 现在研究和使用的多晶硅薄膜晶体管技术有固相晶化瞄1、激光晶化旧1和金属诱导晶化 技术M。。固相晶化过程需要较长的650℃以上的退火过程，现阶段用于平板显示器的大面 积玻璃基板尚难适应如此高的制备温度。现在工艺最成熟的是准分子激光晶化多晶硅薄 膜晶体管制备技术，但是该种技术的缺点是激光晶化的设备价格昂贵，使用的气体为有 毒气体，而且器件的性能对激光的工作条件非常敏感。金属诱导技术采用金属镍催化， 可有效的降低晶化的温度。金属诱导单一方向晶化(MIUC)技术，金属镍通过LTO诱导口 与非晶硅薄膜相接触，在随后的500℃--590℃热过程中，与诱导口联接的非晶硅薄膜， 将发生诱导晶化，晶化的推进方向与诱导口的边缘相垂直。该种方法所获得的为长条形 晶粒，具有良好的材料结构。但是金属诱导技术形成的多晶硅薄膜，存在较高密度的微 缺陷，是影响器件进一步提高的主要原因。因此，在完成金属诱导晶化过程后，采用激 光退火，即可获得良好的多晶硅晶粒结构，又可以有效的减少缺陷态，获得了非常好的 器件性能。本文的研究内容，选择MIUC技术与YAG三倍频(355nm)激光后退火技术结 合，既能获得良好的多晶硅材料和多晶硅薄膜晶体管器件，又因退火过程使用的固体激 光器代替准分子激光器，可有效地降低加工成本。 2、器件的制备过程 器件的制备流程如图1所示，在4英寸的单晶硅片上生长500hm的热氧化层，作为 衬底材料。采用LPCVD的方法，550℃在衬底上沉积50nm的非晶硅层，作为有源层多晶 硅的前驱物。随之将非晶硅制备成薄膜晶体管的有源岛。沉积lOOnm的LTO。并在LTO上 开诱导口，之后，在此两片样品上电子束蒸发3rim的金属镍，在550℃的氮气环境下退 火20小时，使已经加工的非晶硅薄膜晶体管有源岛在100微米左右长度内形成金属诱导 单一方向晶化的多晶硅薄膜。用120℃的H2S04和H。02的混合液去除样品表而的剩余镍： 并清洗表面。处|笙好的样品，进行多晶硅薄膜激光退火。 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 退火实验采用的是YAG固体倍频激光器， 3倍频激光波长为355nm。脉冲的频率为 lO赫兹，脉冲宽度2—3ns，光束的直径 为5毫米，扫描速度为0．5毫米／秒。在 固定上述条件下，调节激光脉冲的能量， 然后检测其对材料的形貌和器件性能的影 响。 实验中，以每个脉冲为8mJ、13mJ、 22mJ、26mJ的355nm激光对样品中的三 个区域的MIUC-TFT的有源硅岛进行扫 描，激光退火后，去掉覆盖在硅膜上的 LTO，之后，沉积50nmLTO栅绝缘层。随 之，沉积280nm的LPCVD多晶硅并光刻成 为多晶硅栅。选择注入4X1015／c1112的硼和 磷作为P型或N型晶体管的源、漏区域。 之后，沉积500rim的LT0，并在氮气下进 行搀杂活化过程。开电极接触孔，溅射 500nm的硅铝膜并加工成为