第1章集成电路的基本制造工艺讲义.pdfVIP

1CH1 集成电路的基本制造工艺 1 集成电路设计基础 西安交通大学微电子学系 第 1 章 集成电路的基本制造工艺 CH1 集成电路的基本制造工艺 2 绪 论 集成电路(Integrated Circuit)是指通过一系列 特定的制造工艺，将多个晶体管、二极管等有源器 件和电阻、电容等无源元件，按照一定的电路连接 集成在一块半导体晶片上，作为一个不可分割的整 体执行某一特定功能的电路组件。 1952年，英国皇家研究所的达默在美国工程师 协会举办的座谈会上发表的论文中第一次提出了集 成电路的设想。“可以想象，随着晶体管和半导体 工业的发展，电子设备可以在一个固体块上实现， 而不需要外部的连线，这块电路将由绝缘体、导体 和具有整流放大作用的半导体等材料组成。” 1958年美国德克萨斯仪器公司的科学家制出了 世界上第一块集成电路，并与1959公诸于世。 CH1 集成电路的基本制造工艺 3 50多年的发展，集成电路已经从最初的小规模 发展到目前的超大规模集成电路和系统芯片，单个 电路芯片集成的元件数从当时的几十个发展到目前 的几亿甚至几十亿个。集成电路的迅速发展，除了 物理原理之外还得益于许多新工艺的发明。 早期研究和生产的集成电路是双极型的，1962 年以后出现了由金属－氧化物－半导体(MOS)场效应 晶体管组成的MOS集成电路。双极和MOS一直处于相 互竞争、相互促进、共同发展的状态。由于MOS集成 电路具有功耗低、适合于大规模集成等优点，所以 ，MOS集成电路在整个集成电路领域中所占的份额越 来越大，现已经成为集成电路领域的主流。虽然双 极集成电路在总份额中占的比例在减小，但它的绝 对份额仍然在增加，而且在一些领域有着MOS集成电 路不可替代优势。 CH1 集成电路的基本制造工艺 4 集成电路的分类 1.按器件结构类型分类 根据集成电路中有源器件的结构类型和制造工 艺技术可以将集成电路分为三类，分别为双极、 MOS和双极-MOS混合型(BiMOS)集成电路。 ? 双极集成电路：这种电路采用的有源器件是双极 晶体管，在双极集成电路中，又可以根据双极晶体 管类型的不同而将它细分为NPN和PNP型双极集成电 路。电路特点：速度高、驱动能力强；功耗较大、 集成度较低。 ? MOS集成电路：这种电路中所用的晶体管为MOS晶 体管，所以称其为MOS集成电路。根据MOS晶体管类 型的不同，MOS集成电路又可以分为NMOS、PMOS和 CMOS集成电路。电路特点：输入阻抗高、抗干扰能 力强、功耗小、集成度高。 2CH1 集成电路的基本制造工艺 5 ? 双极-MOS(BiMOS)集成电路： 同时包含双极和MOS晶体管的集成电路称为 BiMOS集成电路。 该电路综合了双极集成电路的速度高、驱动能 力强以及MOS集成电路功耗低、抗干扰能力强、集成 度高等优势，但这种电路具有制造工艺复杂的缺点 。同时，随着CMOS集成电路中器件特征尺寸的不断 减小，CMOS集成电路的速度越来越高，已经接近双 极集成电路，因此，目前集成电路的主流技术仍然 是CMOS技术。 2.按集成电路规模分类 每块集成电路中包含的元器件数目叫做集成度， CH1 集成电路的基本制造工艺 6 根据集成电路规模的大小，通常将集成电路分为小 规模(Small Scale IC)、中规模(Medium Scale IC)、 大规模(Large Scale IC)、超大规模(Very Large Scale IC)、特大规模(Ultra Large Scale IC)等。 107～109ULSI ＞300＞2000105～107VLSI 100～300500～2000103～105LSI 30～100100～500102～103MSI ＜30＜100＜102SSI 双极 ICMOS IC 模拟集成电路 数字集成电路 类型 CH1 集成电路的基本制造工艺 7 3.按电路结构形式分类 ?单片集成电路： 它是指电路中所有元器件都制 作在同一块半导体基片(Si,GaAs)上的集成电路。 ? 混合集成电路：是指将多个半导体集成电路芯 片或半导体集成电路芯片与各种分立元器件通过 一定的工艺进行二次集成，构成一个完整的、更 复杂的功能器件，该功能器件最后被封装在一个 管壳中，作为一个整体使用。所以有时也称其为 混合集成电路或二次集成电路，在这种混合电路 中，主要由无源元件(电阻、电容、电感、电位器 等)、半导体芯片(IC、晶体管)、带有互连金属化 层的绝缘基板(玻璃、陶瓷)以及封装管壳组成。 CH1 集成电路的基本制造工艺 8 根据混合集成电路的制作工艺，还可将其分为 厚膜和薄膜混合集成电路。 在厚膜IC中，需要采用厚膜工艺在陶瓷板上制 作电阻和互连线，采用的主要材料是各种浆料，如 氧化钯-银等电阻浆料、金