设计并制作共射放大电路浙江大学电子工程训练.docVIP

设计并制作共射放大电路浙江大学电子工程训练.doc

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设计并制作共射放大电路浙江大学电子工程训练

专业:_电子科学与技术_ 姓名:__陈肖苇______ 学号:_3140104580______ 日期:_2015/12/3-24______ 地点:_东四216____ 实验报告 课程名称:____电子工程训练_____指导老师:李锡华、叶险峰、施红军_成绩:__________________ 实验名称:__晶体管共射放大电路设计___实验类型:_设计仿真及焊接_同组学生姓名: 一、实验目的 二、实验任务与要求 三、实验方案设计与实验参数计算(3.1 总体设计、3.2 各功能电路设计与计算、3.3完整的实验电路……)四、主要仪器设备 五、实验步骤与过程 六、实验调试、实验数据记录 七、实验结果和分析处理 八、讨论、心得 一、实验目的 学习单管放大电路的设计方法。 掌握晶体管放大电路静态工作点的设置、测量与调试方法。 了解放大器的非线性失真。 正确使用EDA软件进行模型搭建以及性能仿真。 掌握面包版的特性以及对应的电路布局方法。 掌握放大器电压增益、输入电阻、输出电阻、幅频响应等基本性能指标的测量方法。 二、实验任务与要求 设计一阻容耦合单极放大电路。 已知条件:VCC=+10V,RL=5.1K,Vi=10Mv,RS=600欧姆。 性能指标要求:fL30HZ,对频率为1kHZ的正弦信号|AV|15V/V,Ri〉7.5k欧姆。 三、实验方案设计与实验参数计算(3.1 总体设计、3.2 各功能电路设计与计算、3.3完整的实验电路……) 初始设计方案如图 下面针对各项参数进行计算: 首先针对现有的一些原则以及经验公式确定: β实际在160~180之间,近似计算取为200。 晶体管工作电流设计为1mA; VBB确定为3V; IR1=10IB; 因为C1,C2对下限截止频率影响较小,故不改动,设为22uF,CE对下限截止频率较大,且CE越大,下限截至频率越低,所以取91uF。 接下来是针对具体参数的计算: 因为VBB=3V,所以 当IR1 IB 时,VBB≈VB=3V,由VBB式可得10*R2/(R1+R2)=3,所以,R1:R2=7:3。对R1,R2取值从以下两个方面进行考虑。 从Ri计算式看,一般取R2为Ri下限值的3倍即可满足输入电阻要求,取R2=22.5 kΩ,则R1=52.5kΩ。 按IR1IB,取IR1=10IB=0.05mA,则R1=(VCC-VB)/IR1=140K,因此R2=60Kω。 综上,R1取值范围为52.5k~140k,R2取值范围为22.5k~52.5k。分别取标称值,则R1取70k??由51k电阻+50k电位器组成),R2 取30k。 确定IE和IC也有两种思路: 已知IC=1mA,β=200,代入 和 ,可以得到RE=23k。 由IC=1mA得 ,取 =20V/V,由AV计算式,并代入已知量, 可得RE1=69.4欧姆,RC=5.3k,RE2=RE-RE1=22.4k。 取VC=2/3VCC=6.7V,可以获得3.35V左右的输出信号摆幅。则RC=3.3kΩ,RE1=74Ω,RE2=22.3kΩ 所以最终区标称值为RC=4.7k,RE1=62欧姆,RE2=22k。 最终确定的设计方案如下: 四、主要仪器设备 设计与仿真:EDA软件 性能测试:信号发生器,电源,示波器,万用表 五、实验步骤与过程 六、实验调试、实验数据记录 仿真结果 时域分析看放大倍数: 输入为10mV,实际输出为263.746mV,电压增益|AV|=26.3V/V,大于15V/V,符合要求。 频域分析,看上下限截至频率 上下限截止放大倍数为26.3*0.707=18.6,经测量如下: 所以下限截至频率为20.8Hz30Hz,符合要求。 上限截止频率为1.56MHz。 实际电路测量结果: 静态工作点的测量和调整 调节电位器RP使RC两端的电压为4.7V,又已知RC=4.7K,所以工作电流IC=1mA。 VCCVBBVCVEIC测量值10.01V2.88V5.27V2.24V1mA理论值10.00V3.0V5.3V2.3V1mA在误差允许的范围内与理论值吻合的很好。 电压增益的测量 实际测得Vi=45.2mV,Vo=1232mV,|AV|=27.25V/V,在误差允许的范围内与仿真结果26.3V/V吻合。 最大不失真电压的测量 不断加大输入电压,观察波形情况,在明显失真的电压附近进行测量,结果如下: 输入电压/mV63.269.6108136输出电压/mV1720186028403560电压

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