紫外纳米压印技术的图形转移层工艺研究.pdfVIP

!#$%’%()! !)*+$),)-.! !’$%/*0$’*.%- 1 23+(,)-. 紫外纳米压印技术的图形转移层工艺研究 朱兆颖 !! 乌建中 !! 顾长庚 ! 刘彦伯 ! !#同济大学 机械工程学院! 上海 $$$%# 上海科技生产力促进中心! 上海 $$$%$ 摘要! 研究了紫外纳米压印技术的图形转移层工艺! 通过改变膜厚进行压印对比实验! 将转速控 制在 ’$$$()$$$ * + ,-.! 成功地得到了 /$ ., 光栅结构的高保真图形! 复型精度可以达到 %’01/2% 同时阐明! 纳米压印技术由于具有超高分辨率 低成本 高产量等显著特点! 将成为下一代光刻 技术 345’ 的主要候选者之一% 关键词! 紫外纳米压印技术# 图形转移层工艺# 光刻 中图分类号! +=-60 文献标识码! ? 文章编号! !:!@=: ,--:$ !-@-=.,@-= !#$%’ () *%+,#)% -+.% /%(## 0$#1 (, 234567 AB) A3C4@DE7F!! G) HEC7@I347F!! J) 23C7F@FK7F,! %() 1C7@L4! !!#$$%% #’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该技术具有超高分辨率+ 低成本% 高产量等显著 ! 引 言 特点! !- 年来得到了迅猛发展 因为没有光学曝 自从集成电路发明以来! 图形转移是通过可见 光中的衍射现象和电子束曝光中的散射现象! 纳米 光的曝光技术来实现的 随着集成电路制造技术 压印技术的极限分辨率可以达到几个纳米 目前! 的 线 宽 尺 寸 按 摩 尔 定 律 不 断 缩 小 #每 ! 个 月 性 这项 技 术 最 先 进 的 成 果 已 经 达 到 6 78 以 下 的 水 能 提 高 一 倍 $! 这 就 要 求 选 用 波 长 更 短 的 曝 光 光 平 (,) 纳米压印技术和其他光刻技术相比优势明 源!