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混合集成电路中地新型封装工艺
混合集成电路中的新型封装工艺
论文
混合集成电路中的新型封装工艺
摘要:
本文主要介绍了混合集成电路中新型封装技术的:圆片级的CSP也称作Super CSP,系统级封装SiP (System-In-Package)CSP也称作Super CSP,系统级封CSP(Chip Scale Package)封装,是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术,其技术性能又有了新的提升。CSP封CSP封装装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14,已经相当接近1:1的理想情况,绝对尺寸也仅有32平方毫米,约为普通的BGA的1/3,仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比,同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。 CSP封装焊接示意图SIP封装是指在单一的封装内实现多种功能,或者说将数种功能合并入单一模块中,譬如,这些功能可以是无线通信、逻辑处理和存储记忆等之间的集成,这些集成在 这种封装形式是由日本三菱公司在1994年提出来的。对于CSP,有
CSP封装
多种定义:日本电子工业协会把CSP定义为芯片面积与封装体面积之比大于80%的封装;美国国防部元器件供应中心的J-STK-012标准把CSP定义为LSI封装产品的面积小于或等于LSI芯片面积的120%的封装;松下电子工业公司将之定义为LSI封装产品的边长与封装芯片的边长的差小于Imm的产品等。这些定义虽然有些差别,但都指出了CSP产品的主要特点:封装体尺寸小。
CSP封装内存不但体积小,同时也更薄,其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米,大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性,线路阻抗显著减小,芯片速度也随之得到大幅度提高。
CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离,其衰减随之减少,芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升,这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%-20%。在CSP的封装方式中,内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上,由于焊点和PCB板的接触面积较大,所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热,且热效率良好,CSP的热阻为35℃/W,而TSOP热阻40℃/W。
CSP技术是在电子产品的更新换代时提出来的,它的目的是在使用大芯片(芯片功能更多,性能更好,芯片更复杂)替代以前的小芯片时,其封装体占用印刷板的面积保持不变或更小。正是由于CSP产品的封装体小、薄,因此它的手持式移动电子设备中迅速获得了应用。在1996年8月,日本Sharp公司就开始了批量生产CSP产品;在1996年9月,日本索尼公司开始用日本TI和NEC公司提供的CSP产品组装摄像机;在1997年,美国也开始生产CSP产品。世界上有几十家公司可以提供CSP产品,各类CSP产品品种多达一百种以上(1)封装加工效率高,它以圆片形式的批量生产工艺进行制造;
(2)具有倒装芯片封装的优点,即轻、薄、短、小;
(3)圆片级封装生产设施费用低,可充分利用圆片的制造设备,无须投资另建封装生产线;
(4)圆片级封装的芯片设计和封装设计可以统一考虑、同时进行,这将提高设计效率,减少设计费用;
(5)圆片级封装从芯片制造、封装到产品发往用户的整个过程中,中间环节大大减少,周期缩短很多,这必将导致成本的降低;
(6)圆片级封装的成本与每个圆片上的芯片数量密切相关,圆片上的芯片数越多,圆片级封装的成本也越低。圆片级封装是尺寸最小的低成本封装。圆片级封装技术是真正意义上的批量生产芯片封装技术。现在生产的大多数圆片级封装器件都用在手机、PDA(个人数字助理)、便携式计算装置以及其它便携式无线装置之中。
1.3 CSP产品已有100多种,封装类型也多,主要有如下种:
1)、柔性基片CSP
柔性基片CSP的IC载体基片是用柔性材料制成的,主要是塑料薄膜。在薄膜上制作有多层金属布线。采用TAB键合的CSP,使用周边焊盘芯片。
2、硬质基片CSP
硬质基片CSP的IC载体基片是用多层布线陶瓷或多层布线层压树脂板制成的。
3、引线框架CSP
引线框架CSP,使用类似常规塑封电路的引线框架,只是它的尺寸要小些,厚度也薄,并且它的指状焊盘伸人到了芯片内部区域。引线框架CSP多采用引线键合(金丝球焊)来实现芯片焊盘与引线框架CSP焊盘的连接。它的加工过程与常规塑封电路加工过程完全一样,它是最容易形成规模生产的。
4、圆片级CSP
圆片级CSP,是先在圆片上进行封装,并以圆片的形式进行测试,老化筛选,其后再将圆片分割成单一的CSP电路。CSP封装产品工艺流程 CSP产品的品种很多,封
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