第18讲_第十章半导体和二极管(二)(2011年新版).docVIP

第2篇 电子学 第10章 半导体及二极管 大纲要求：掌握二极管和稳压管特性、参数 了解载流子，扩散，漂移；PN结的形成及单向导电性 10.3.2 主要电参数 (1) 稳定电压VZ ：在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 (2) 动态电阻rZ rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rZ =(VZ /(IZ (3) 最大耗散功率：极限参数，取决于稳压管允许温升 (4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流IZmin (5)稳定电压温度系数——(VZ 温度的变化将使VZ改变，在稳压管中当(VZ ( ＞6V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。 当(VZ (＜4 V时， VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。 当4 V＜(VZ ( ＜6 V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。 例题： 例 1：二极管为硅管，其中R = 3 k(，试分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD =3V 和VDD= 10 V 时 IO 和 UO 的值。 解：VDD = 3 V 理想? ? UO = VDD = 3 V????? IO ?= VDD / R = 3 / 3 = 1 (mA) 恒压降 UO = VDD– UD(on) = 3 ( 0.7 = 2.3 (V) ?????? IO ?= UO / R =