半导体器件基础实验讲义教案分析.pdfVIP

录 实验一 二极管的直流参数测试 实验二 晶体管的直流参数测试 实验三 MIS 结构的高频 C- V 特性测量 实验一 二极管的直流参数测试 一、实验目的 1. 解半导体参数测试仪（Agilent B 1500A ）的基本原理及构造。 2. 学会利用半导体参数测试仪（Agilent B 1500A ）测量二极管参数，通过试验分析被测 器件的质量及参数异常的原因。 二、实验仪器和待测器件 1. 实验仪器：半导体参数测试仪（Agilent B 1500A ）、探针台。 2. 待测器件： (1) 二极管：IN4007 和IN5819 各一只； (2) 限流电阻：25 12 一只 三、实验原理 任何一个半导体器件都可以等效成一个二端或四端网络。要 解该器件的性能和正确 使用及在生产中不断提高产品质量，就要熟悉其输入和输出特性曲线；而通过分析器件 的特性曲线，又可了解器件的参数和质量。这两组特性 线是如何得到的呢？最早的方 法是给被测器件提供不同的偏压和偏流，利用电流表和电压表逐点测试，并根据测试结 果描述出其对应曲线。目前，人们可利用计算机控制加载不同的偏压和偏流，并通过计 算机将数据处理后显示在